基于cfd的mocvd反应室数值模拟-电机与电器专业论文.docxVIP

摘要 摘要 万方数据 万方数据 摘 要 金属有机化学气相沉积（简称 MOCVD）是制备微电子和光电子器件的关 键技术，尤其在制备 GaN 基 LED 方面具有广泛的应用前景和市场需求。反应 室是整个 MOCVD 系统的核心，它直接影响到外延生长后薄膜材料的质量。然 而，由于反应室内部结构非常复杂，气体流动和热场分布具有不可观测性，对 MOCVD 反应室进行数值模拟，掌握气体流动和传热规律对 MOCVD 反应室的 设计有非常重要的理论指导意义。 本文针对自主研发的 61×2″MOCVD 设备，采用 CFD 技术（计算流体动 力学简称）FLUENT 软件对反应室进行了温度场和流场的数值模拟，主要研究 工艺参数（如入口流量、操作压强、基座温度、基座旋转、入口与基座间距等） 对温度场和流场的影响。 研究发现，增大入口流量使基座表面的高温层变薄，会有效的抑制热浮力 的作用，然而，增大入口流量的同时也会在基座外角处产生涡旋。操作压强对 反应室温度场和流场不敏感。基座温度升高，使得基座与入口之间温度梯度加 大，高温层变薄，有利于提高薄膜沉积速率。基座旋转能使气流更贴近基座表 面，反应物在反应室分布更加合理。入口与基座间距增大，反应室竖直方向上 速度梯度减小，基座上方的速度值较小，抑制热浮力效应的能力弱，基座表面 高温层变厚，从而不利于薄膜的生长。 本文结合数值模拟的结果进行分析并提出改进方案，研究发现，反应室拐 角处光滑过渡处理能够消除涡旋，稳定流场；改变原来的均匀入口，增大反应 室轴心处雷诺数能有效抑制热浮力效应，从而优化基座上方的流场分布；实现 反应室高度可调可加快薄膜沉积的速率，提高 MO 源的利用率和薄膜沉积的均 匀性。 本文的研究成果已应用到相关课题的反应室设计和外延工艺之中，对改善 外延质量起到较好的作用。 关键词：MOCVD；温度场；流场；CFD；FLUENT 模拟 I Abst Abstract ABSTRACT Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is the key technology for preparation of microelectronic and optoelectronic devices, and it has wide application prospect and market demand, especially in the preparation of GaN based LED. The reactor is the core of the whole MOCVD system, which directly affects the quality of epitaxial film. Due to the structure of reactor is complex and the flow and temperature fields are unobservable, therefore, it is necessary to master the regularity of flow and heat transfer in MOCVD reactor by using numerical simulation. Aiming at self-developed 61×2″ MOCVD, this paper use CFD technology of FLUENT software to simulate the temperature and flow fields of the chamber, this paper mainly studies the influence of process parameters (such as inlet flow rate, chamber pressure, growth temperature, wafer carrier rotation rate, distance between inlet and susceptor, etc.) on the temperature and flow fields. The study found that increasing inlet flow rate will inhibit the action of effective thermal buoyancy. However, increasing the inlet flow rate also generates vortex. The operation pressure is not sensitive to the chamber temperatur