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第一章习题
1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:
Ec=
(1)禁带宽度;
导带底电子有效质量;
价带顶电子有效质量;
(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
解:(1)
2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107 V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
解:根据: 得
补充题1
分别计算Si(100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图)
Si在
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