第六章 TMS320C6000 DSP外部存储器接口..pptVIP

第六章 TMS320C6000 EMIF及其程序设计 6.1 基本存储器 异步存储器（SRAM、ROM） 同步动态存储器(SDRAM) 同步突发静态存储器（SBSRAM） 异步存储器 SRAM：读写速度快，掉电丢失，容量小。 ROM： ① 掩膜式ROM ? 用定作掩膜对存储器进行编程，一旦制造完毕，内容固定不能改变。 ② 可编程式的ROM（PROM）， PROM允许用户一次性写入，再也不可更改。 ③ 可擦除式的ROM（EPROM） ???? EPROM允许用户多次写入信息，写入操作由专用的写入设备完成。写入之前应先擦除原来写入的信息。 一种擦除方式为紫外光擦除，用紫外光照射15分钟左右，这类EPROM又叫UV EPROM。 另一种擦除方式为电擦除，即用特定的电信号对其进行擦除，可在线操作，因此很方便。这类EPROM又叫E2PROM或EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）。它的特点是写入时电压要求较高（一般为20V~25V），写入速度较慢而不能像RAM那样作随机存取存储器使用。 异步存储器 FLASH 存储器 非易失性存储器，读取速度快，但写入速度慢，且写入之前需要整个扇区擦除，若需改写某个字节的内容，需要将扇区其他内容暂存到其他地方，待扇区擦除后再搬移回来。 SDRAM 读写速度快，容量大，成本低。但需要动态刷新，读写控制时序复杂。目前有些处理器如DSP等集成了专用SDRAM控制器接口，使用亦很方便。 课外资料查阅：SDRAM原理（作业） 6.2 EMIF 概述 DSPs访问片外存储器时必须通过外部存储器接（External Memory Interface，EMIF）。C6000 系列 DSPs 的 EMIF 具有很强的接口能力，不仅具有很高的数据吞吐率（最高达 1 200 MB/s），而且可以与目前几乎所有类型的存储器直接接口。存储器包括： pipeline 结构的同步突发静态 RAM（SBSRAM） 同步动态 RAM（SDRAM） 异步器件，包括 SRAM、ROM 和 FIFO 等 外部共享存储空间的设备 不同芯片的 EMIF 接口 6.3 接口信号与控制寄存器 EMIF寄存器 6.3 EMIF 程序设计 #define EMIF_GCTL 0 #define EMIF_CE1 0 #define EMIF_CE0 0 #define EMIF_CE2 0 #define EMIF_CE3 0 #define EMIF_SDRAMCTL 0 #define EMIF_SDRAMTIM 0x0180001C #define EMIF_SDRAMEXT 0 #define EMIF_CCFG 0 /* Cache configuration register */ void user_EMIF_init(void) { *(unsigned int *)EMIF_GCTL = 0x000030f8; *(unsigned int *)EMIF_CE0 = 0x2272c993; /* CE0 SDRAM 16-bit */ *(unsigned int *)EMIF_CE1 = 0xFFFFFF03; /* CE1 Flash 8-bit //实际为16bit,按8bit操作 */ *(unsigned int *)EMIF_CE2 = 0x2272c993; /* CE2 16-bit sdram */ *(unsigned int *)EMIF_CE3 = 0x2620C612; /* CE3 16-bit async */ /*WRSETUP=0 WRSTRB=24 WRHLD=2 */ /*RDSETUP=0 RDSTRB=24 RDHLD=2 */ /*TA=3 MTYPE=2 */ *(unsigned int *)EMIF_SDRAMCTL = 0x6B227000;//0x6B48F000; /* SDRAM control (128 Mb): 8M*16bit*4banks */ *(unsigned int *)EMIF_SDRAMTIM = 0 /* S