电子信息材料像发展趋势.pptVIP

电子信息材料发展趋势 一、电子信息材料发展趋势 随着电子学向光电子学、光子学迈进，微 电子材料在未来 10～15年仍是最基本的信息 材料，光电子材料、光子材料将成为发展最 快和最有前途的信息材料。电子、光电子功 能单晶将向着大尺寸、高均匀性、晶格高完 整性以及元器件向薄膜化、多功能化、片式 化、超高集成度和低能耗方向发展。 1 集成电路和半导体器件用材料由单片集成向系统集成发展 微电子技术发展的主要途径是通过不断缩小器件的 特征尺寸，增加芯片面积以提高集成度和信息处理速 度，由单片集成向系统集成发展。 （ 1）Si、GaAs、InP等半导体单晶材料向着大尺寸、 高均质、晶格高完整性方向发展。φ8英吋硅芯片是目 前国际的主流产品，φ12英吋芯片已开始上市，GaAs 芯片φ4英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向φ6英 吋生产线过渡；对单晶电阻率的均匀性、杂质含量、微 缺陷、位错密度、芯片平整度、表面洁净度等都提出了 更加苛刻的要求。 （ 2）在以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料继续发展的同时，加速发展第三代半导体材料——宽禁带半导体材料SiC、GaN、ZnSe、金刚石材料和用SiGe/Si、SOI(Silicon-On-Insulator )等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成电路的性能是未来半导体材料的重要发展方向。 （ 3）继经典