电子信息材料半基础-总结补充版.docVIP

说明:仅供参考. 试题结构和类型 1.简答题(简单回答)30×2.5分 2.问答题(详细回答)2×8分 3.思考题(没有标准答案,与本课程相关度不高)例如:如何节约能源等. 张老师授课部分约占三分之一,苏老师授课部分约占三分之二. 复习范围[个人总结非官方] 张怀武部分 1.集成电路的发展展望 目标:提高集成度,提高可靠性,提高运行速度,降低功耗和成本 努力方向:降低线宽,增大晶片直径,提升设计技术 2.芯片制造的纵向加工,横向加工,工艺流程/步骤 横向加工:图形的产生和转移(又称为光刻,包括曝光,显影,刻蚀等) 纵向加工:薄膜的制备(制备途径包括:蒸发,溅射,氧化,CVD等) 掺杂(掺杂方法包括:热扩散,离子注入,中子嬗变等) 典型的双极集成电路工艺 衬底制备-一次氧化-隐埋层光刻-隐埋层扩散-外延淀积-热氧化-隔离光刻-隔离扩散-热氧化-基区光刻-基区扩散-再分布及氧化-发射区光刻-（背面掺金）-发射区扩散-再分布及氧化-接触孔光刻-铝淀积-反刻铝-铝合金-淀积钝化层-压焊块光刻-中测 3. “自旋” 自旋效应(磁随机存储) 自旋电子学?基于电子自旋效应 自旋电子学是利用载流子（电子与电子空穴）自旋传导的电子学。以研究自旋极化输运特性及基于这些特性而设计,开发新电子器件为主要内容的学科.涉及自旋极化,自旋相关散射和隧穿,自旋积累和弛豫,电荷自旋