硅片制绒好和清洗.pptVIP

硅片制绒和清洗 概述 硅片表面的处理目的： 去除硅片表面的机械损伤 清除表面油污和金属杂质 形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收 硅片表面的机械损伤层（一）硅锭的铸造过程 硅片表面的机械损伤层（二）多线切割 硅片表面的机械损伤层（三）机械损伤层 粗抛 粗抛 原理：各个晶面在高浓度的碱溶液将不再具有各项异性腐蚀特性 目的：去除表面的机械损伤层以及其它杂质 一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀 0.5～1min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到6～10um/min 。 粗抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片被腐蚀过薄。 对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速度主要取决于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。 1.1 什么是制绒 制绒是利用硅的各向异性腐蚀特性在表面刻出类似与金字塔或者是蜂窝状的结构 陷光原理图示： 碱的腐蚀 利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌 ，就称为表面织构化，俗称制绒。角锥体四面全是由〈111〉面包围形成。 反应式为： Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑ 制绒过程中的影响因素 绒面的平均反射率随NaOH浓度的变化 降低硅片表面张