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扫描式电子都显微镜原理简介
五. 扫描电子显微镜的主要性能 分辨率 景深 分辨率 对微区成分分析而言,它是指能分析的最小区域;对成像而言,它是指能分辨两点之间的最小距离。 入射电子束束斑直径 入射电子束在样品中的扩展效应 成像方式及所用的调制信号 二次电子像的分辨率约为3-10nm,背反射电子像的分辨率约为50-200nm。X射线的深度和广度都远较背反射电子的发射范围大,所以X射线图像的分辨率远低于二次电子像和背反射电子像。 景深 景深是指一个透镜对高低不平的试样各部位能同时聚焦成像的一个能力范围。 扫描电镜的景深为比一般光学显微镜景深大100-500倍,比透射电镜的景深大10 倍。 d0临界分辨本领, 电子束的入射角 六. 样品制备 扫描电镜的最大优点是样品制备方法简单,对金属和陶瓷等块状样品,只需将它们切割成大小合适的尺寸,用导电胶将其粘接在电镜的样品座上即可直接进行观察。 对于非导电样品如塑料、矿物等,在电子束作用下会产生电荷堆积,影响入射电子束斑和样品发射的二次电子运动轨迹,使图像质量下降。因此这类试样在观察前要喷镀导电层进行处理,通常采用二次电子发射系数较高的金银或碳膜做导电层,膜厚控制在20nm左右。 七、注意事项 安全 防止样品污染 数据保存 记录 THE END * 用于观察的显像管分辨率较低,边长10CM荧光屏上有500条线;用于照相记录的显像管分辨率较高,边长10CM荧光屏上有800-1000条线。 扫 描 电 子 显 微 镜 原 理Theory of Scanning Electron Microscope OM,TEMSEM的成像原理 OM,TEMSEM的比较表 扫描电镜的优点 高的分辨率。由于超高真空技术的发展,场发射电子枪的应用得到普及,现代最先进的扫描电镜的分辨率已经达到0.8纳米左右,钨灯丝扫描电镜的分辨率一般在3nm左右。 有较高的放大倍数,20-40万倍(钨灯丝4~10万倍)之间连续可调; 有很大的景深,视野大,成像富有立体感,可直接观察各种试样凹凸不平表面的细微结构 试样制备简单。 可选配X射线能谱仪和EBSD系统,这样可以同时进行显微组织性貌的观察、微区成分分析和微区晶体学分析。 Optical Microscope VS SEM 扫描式电镜结构原理图 电子显微镜分为四部分: 1.照明系统 2.成像电磁透镜系统 3.样品室、真空及电气系统 4.影像侦测记录系统 一.照明系统 1.电子枪:发射电子束的电子源。 2.聚光镜:其作用主要是把电子枪的束斑逐渐缩小,是原来直径约为50mm的束斑缩小成一个只有数nm的细小束斑。扫描电镜一般有三个聚光镜,前两个透镜是强透镜,用来缩小电子束光斑尺寸。第三个聚光镜是弱透镜,具有较长的焦距,在该透镜下方放置样品可避免磁场对二次电子轨迹的干扰。 电子枪的结构 1.阴极:钨丝等 2.栅极:威尔罩 3.阳极 电子枪的工作原理 工作原理: 当灯丝中通以加热电流,钨丝阴极呈白热状态时,便发射电子。在阳极加速电压的作用下,电子穿过阳极小孔射向荧光屏出现亮点。栅极加电压用来控制电子束大小,改变荧光屏亮度。调节偏转线圈中电流大小,可改变磁场强弱,使荧光屏得到最小的聚焦电子束斑点。电子束在横向交变电磁场作用下,可在荧光屏上来回扫描。 电子枪的分类 作为阴极的电子源有三类: (1)钨丝 (2)LaB6丝 以上两类都是由热游离原理产生电子; (3)场发射枪,由强电场将电子吸出,即由场发射原理产生电子。 钨丝电子源 右图是钨丝电子源,使用钨丝时乃直接加热。钨丝成V形,当达到足够温度时(一般操作温度为2700K),发射电子束。其寿命在10-6Torr的真空下平均约40—80小时,TESCAN VEGAⅡ的灯丝寿命约为150~200小时。 场发射枪 右图是场发射枪,它由场发射原理产生电子。场发射枪加负电压于金属尖端上,所加强电场由此尖端吸出电子而形成发射电流。场发射枪拥有比钨灯丝枪小得多的斑和高得多的亮度。 场发射枪的灯丝寿命约为8000~10000小时。 二.成像电磁透镜系统 1.聚光镜 分类:单聚光镜式 双聚光镜式 作用:将电子枪发出的电子会聚于样品表面,并调节样品平面处的电子束孔径角、电流密度和照明光斑半径。照明光斑过大时,会使样品受热产生热漂移和污染。为了有效解决这个问题,较新的电镜一般都采用双聚光镜系统。 扫描式电子显微镜的透镜系统 M1=b1/a1 M2=b2/a2 M3=b3/a3 Cross Over Point(d0) 透镜系统中的所用透镜都是缩小透镜,起缩小光斑的作用。缩小透镜将电子枪发射的直径30μm电子束缩小成几十埃,由两个聚光镜和一个末透镜完成,三个透镜的总缩小率约为2000~3000倍。 扫
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