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碳化硼薄膜制备技术研究进展.PDF
第39 卷 第6 期 现 代 技 术 陶 瓷 Vol. 39 No. 6
2018 年12 月 Advanced Ceramics December 2018
中图分类号： O484.5 文献编号： 1005-1198 (2018) 06-0417-15
文献标识码： A DOI ： 10.16253/j.cnki.37-1226/tq.2018.07.016
碳化硼薄膜制备技术研究进展
涂 溶，胡 璇，章 嵩，王传彬、沈 强、张联盟
武汉理工大学 材料复合新技术国家重点实验室，武汉430070
摘 要: 本文归纳了碳化硼薄膜的主要特性以及近年来在功能陶瓷、热电元件等方面的广
泛应用。总结了目前物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD) 技术制备碳化硼薄膜的主要
方法，包括磁控溅射法、离子束蒸镀法、经典化学气相沉积法 (c-CVD) 、等离子增强化学气相
沉积法 (PECVD 、激光化学气相沉积法 (LCVD) 和热丝化学气相沉积法 (HFCVD) 等，讨论了
各种沉积技术制备碳化硼薄膜工艺中各种实验参数对薄膜生长过程的影响，并对该领域今后的
研究方向进行了展望。
关键词：碳化硼薄膜；物理气相沉积；化学气相沉积
Preparation Methods of Boron Carbide Thin Films
TU Rong, HU Xuan, ZHANG Song , WANG Chuan-Bin,
SHEN Qiang, ZHANG Lian-Meng
State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing,
Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China
Abstract: This review summarized the characteristics of boron carbide films, and wide
applications in functional ceramics, thermoelectric devices recently. The methods for the preparation
of boron carbide films by physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD)
techniques have been generalized, including magnetron sputtering, ion beam evaporation, classical
chemical vapor deposition (c-CVD), and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), laser
chemical vapor deposition (LCVD), and hot filament chemical vapor deposition (HFCVD). Finally,
the effects of various experimental parameters on the growth process of thin films in preparation of
boron carbide
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