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电容的三个用途 电容与谐振 并联电容器 电源层和接地层电容 电容的选择与放置 Ceramic Cap. 自谐振频率约值（基于引线长度） 三端电容器的原理 三端电容器的不足 PCB用分立滤波器 穿心电容 穿心电容的插入损耗 穿心电容、馈通滤波器 电压对陶瓷电容容量的影响 （4） Tantalum and ceramic 电容性能的比较： 旁路电容种类 (Bypass capacitor groups) 金属板隔离输入输出端 一周接地电感很小 电容的引出线在轴线上,电容两端面是两个极,电感较小。 插入损耗 频率 1GHz 普通电容 理想电容 穿心电容 以穿心电容为基础的馈通滤波器广泛应用于RF滤波 馈通滤波器 馈通滤波器分类 6.4 电源层和接地层电容 1、电源层和接地层的电容特性 在电压板和和接地板之间总存在着电容，而且电源和接地层又非常小的等效引线长度电感，没有ESR, 通常在高频区段使用电源层作为去耦电容器来减小RF能量辐射。 在多层板中： 两部件间的最大板间电感 远小于1nH 引线长度电感为 2.5 ~ 10 nH 平板电容器: A : 平板电容器的面积 h : 两个平板之间的距离 : 介电常数 2、隐藏电容 隐藏电容是一个专利制造过程。电源层和接地层被0.001in (0.25mm)的介质材料分开 介质空间小，在200 ~ 300MHz 间才有去耦作用，高于这个频段，就需使用独立电容器 电源层和接地层间的距离越小，去耦性能就越好 隐藏电容的技术使用费远远查超过所有被替代的独立电容器 3、电源和接地层电容值的计算 Cpp平板电容值: 在TTL或低速逻辑中，不需要使用高自谐振频率的去耦电容 对高速应用，电源层和接地层间的距离为 0.005 in 更好 A : 平行板的面积 d : 层间距离 : 材料的相对介电常数（真空为1，FR-4为4.1~4.7） K: 转换系数 （in 0.2249, cm 0.884） 4. 20-H 原则 10-H: 平面的阻抗变化可以观察到 20-H: 近似 70 %的通量边界 100-H: 近似 98%的通量边界 Note: Power Plane Ground Plane （RF Emission） Power Plane Ground Plane （RF Emission do not occur） Power Plane Ground Plane 10-H 20-H 100-H PCB上有多个功能子系统，在高频系统内采用20H原则： CPU 时钟信号 总线信号 网络和SCSI信号区 对数字、模拟电路部分进行隔离或滤波时，可以按下图所示使用20-H原则。 6.5 电容的选择与放置 1.电容选择 选择要点： ESL、ESR：数字电路要求电容有很低的ESL、ESR 选用绝缘电阻较大的电容 额定电压 浪涌电压是电容器能经受得最大非持久性电压 工作频率与自谐振频率有关 穿心电容用于高频电磁干扰滤波 选择温度系数好的 （电容材料对温度很敏感） （1） 电容材料的选择： -60 20 -30 90 -30 0 Y5V 30 %?C 0.15 -0.15 0 -55 125 COG %?C 5 -15 0 -55 125 -10 -5 X7R %?C NPO(COG)X7RY5V COG X7R Y5V 20 0 -20 -40 -60 -80 0 20 40 60 80 100 %额定电压（Vdc） %?C 选择小的ESL 和 ESR ESL 要小， 10 nH ESR 要小， 0.5 欧 ESR（100MHz）/m 100 3.2 1206 90 3.1 0805 80 2.5 0603 Y5V 120 1.2 1206 110 1 0805 90 0.6 0603 X7R 90 1 1206 70 1 0805 60 0.6 0603 NPO ESL（nH） 封装 介质材料 （2） 电容类型的选择： 选择 SMD 电容元件 （可减小引线长度即引线电感） 在高频设计时，应选择自谐振频率高的电容器 （3） 电容大小的选择： 电容值选择不要大于设计值 X Low inductance X DC bias X Wide temp. Range X Microphonic (piezoelectric effect) X High Frequency filtering Ceramic Tantalum Important Parameter X ESR/Output Ripple X V