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Bipolar Junction Transistor(BJT) 2.1.1 结构与符号 2.1.2 工作原理 2.1.3 特性曲线 2.1.4 参数 2.1.5 工作状态及偏置电路 2.1.6 基本要求 2.1.1 结构与符号(Structures and Circuit Symbol) 两种: NPN PNP 外部条件？ 另有支流： IEP 、ICBO 四、放大作用 2.1.3 特性曲线 2.1.4 参数 分为三大类: 1. ICBO O(Open) 2.共基~ α=?IC/?IE? VCB=const (3)极限参数 ①ICM IC上升时 ?会下降。 ?下降到放大区?值的2/3时所对应的集电极电流。 ③反向击穿电压（V(BR)XXO） 1.V(BR)CBO—— E极开路时的 集电结击穿电压。 表02.01 双极型晶体管的参数 （2）电流负反馈型偏置电路 这种电路通过负反馈措施，增强了电路的稳定性，但VCEQ的变化范围缩小了。 ICQ↑ →IEQ↑ →VEQ(=IEQ*RE)↑ ↓ VBEQ(= VEQ -VEQ)↓ IEQ ↓← ICQ↓← * 2.1 双极型晶体管 三极管图片 2907A PNP双极性晶体管 100 GHz 铟磷/钐铟砷异质结双极性晶体管的电子扫描显微图片 大功率达林顿晶体管 　　双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，统称为晶体管。 一、结构 e(Emitter) ：发射极 b(Base） ：基极 c(Collector)：集电极 发射结(Je) 集电结(Jc) 基区 发射区 集电区 三极: 三区: 两节: 特点:b区薄 e区掺杂多 c区面积大 e,b,c Je,Jc 二、符号 *Je箭头: P N 2.1.2 工作原理(Transistor Operation) 一、放大条件 二、内部载流子传输过程 三、电流分配关系 四、放大作用 一、放大条件 内部条件： 三区结构与掺杂 Je正偏， Jc反偏。 电位关系： NPN：VC ＞ VB ＞ VE PNP：VC ＜ VB ＜ VE 发射区 (1) IE IC 集电区 (3) 漂移 Je 正偏 Jc 反偏 IB 复合 二、内部载流子传输过程 忽略支流： IE =IC+IB 基区 (2) 扩散 晶体管三个电极上的电流与内部载流子传输形成的电流之间的关系为： 三、电流分配关系(Current Relationship) 根据输入输出回路的公共端不同，可组成三种组态 (Common Emitter Circuit) 发射极 即能做输入端 又能做输出端 基极 只能做输入端 不能做输出端 集电极 只能做输出端 不能做输入端 注 意 无论哪种接法为保证正向受控作用 须使发射结正偏、 集电结反偏 且满足 IE=IB+IC 定义 共基极直流电流放大系数 定义 共射极直流电流放大系数 ∴ IC= IE+ICBO≈ IE IB = IBN－ICBO= IE－IC =（1－ ）IE－ICBO≈（1－ ）IE IE= IC+IB ICEO = (1+ ) ICBO 穿透电流 IC=ICN＋ ICBO= IB+(1+ ) ICBO ≈ IB IE≈IEN= IBN+ ICN =(1+ ) IB＋(1+ ) ICBO≈(1+ ) IB 由于 都反映了管中基区扩散与复合的关系 由定义可得： IB≈（1－ ）IE 总结： IC ≈ IE IE ≈(1+ ) IB IC ≈ IB IE= IC+IB 应用：共射电压放大 电流放大(控制） c I C e I E N P N I B R C U CC U BB R B I CBO 15V b I BN I EP I EN I CN 能量是哪里来的？ 问题1：若两个PN结对接，三极管有无 电流放大作用。 问题2：当温度升高时，三极管 将失去放大作用。为什么？ 输入特性曲线— iB=f(vBE)? vCE=const 输出特性曲线— iC=f(vCE)? iB=const 共射接法的电压-电流关系 晶体管的三种基本接法 (1) 输入特性曲线 方程： iB=f(vBE)?vC