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模拟电子技术基础 1　半导体的特性 2　半导体二极管 3 二极管基本电路及其分析方法 (1) 理想模型 (2) 恒压降模型 (3) 折线模型 例1： （2）当vi=6sinωtV时，求vO的波形 方法：按照输入电压的波形通过传输特性用描点法可以画出。 几种普通发光二极管实物图 电子技术与应用 本征半导体-----完全纯净的半导体(Si，Ge)， 其中的载流子是由本征激发产生，电子、空穴成对出现。（两种载流子） 杂质半导体-----本征半导体掺杂得到。N型(掺5价），P型(掺3价) 杂质半导体的转型 当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转为P型，反之亦反。 第一章 半导体二极管　 PN结； PN结的单向导电性； 类型： 锗管、硅管； 高频、低频； 小功率、大功率； 点接触、面接触； 伏安特性； 0 0. 6 反向特性 正向特性 击穿特性 死区电压 U(BR) uD iD 在常温(300K)下，VT≈26mV 主要参数 1．最大（额定） 整流电流IF 2．反向击穿电压U(BR)（V(BR)后同） 3．最高允许反向工作 电压UR=(1/2~2/3)U(BR) 4．反向电流IR 5．正向电压降UF 6．最高工作频率fM 0 0. 6 反向特性 正向特性 击穿特性 死区电压 U(BR) uD iD iD vD ＋ － vD iD （或） 正偏时，管压降为0V，即vD=0V； 反偏时，认为R=∞，电流为0。 适用 当电源电压远比二极管的管压降大时可用 恒压降模型 iD vD VON VON ＋ － vD iD 当二极管导通后，认为其管压降vD=VON。 对硅而言，常取vD=VON=0.7V。 适用 只有当二极管的电流iD近似等于或大于1mA时才正确。 应用较广泛。 VON 折线模型 iD vD Vth Vth ＋ － vD iD 斜率 1 rD 当二极管正向vD大于Vth后其电流iD与vD成线性关系，直线斜率为1/rD。 截止时反向电流为0 Vth为二极管的门槛电压，约为0.5V。 折线模型 iD vD Vth Vth ＋ － vD iD 斜率 1 rD rD的确定： 假设当二极管的导通电流为1mA时，管压降vD=0.7V，则有： vD=Vth+iDrD 适用 电源电压较低时的情况 电路如图（a）所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 （a） （b） 波形如图（b）示。 解： 一限幅电路如图所示，R=1kΩ，VREF=3V。试用折线模型（取Vth=0.5V，rD=200Ω ）分析： （1）vI=0V，4V，6V时，求相应的输出电压vO的值; （2）当vI＝6sinωtV时，绘出相应当输出电压vO的波形。 例2： + + － R － vO D VREF vI + + － R － vO D VREF vI + + － R － vO D VREF vI Vth rD ID 解：（1）用折线模型 取Vth=0.5V，rD=200Ω ① 当vI=0V时 D截止 ∴vO=vI=0V 等效电路 VO≈3.917V 同② ID≈2.083V D导通，则vO=VAB 即VO=Vth+IDrD+VREF ∴VO≈3.583V 等效电路 + + － R － vO D VREF vI Vth rD ID ② 当vI=4 V 时 ③ 当vI=6V时 A B 先画出电压传输特性曲线： 当vIVth+VREF=(0.5+3)V=3.5V时： D截止 ∴此时vO=vI 故为一条过原点0且斜率为1的直线 当vIVth+VREF=3.5V时： 传输特性发生转折并以斜率rD/(rD+R)上升 若ωt=0，则vI=6sin0=0V 显然此时vI3.5V vO=vI=0V 若ωt=π/2，则vI=6sinπ/2=6V vI3.5V vO≈3.917V （已在(1)中③时求得） 若ωt=π，则vI=6sinπ=0V 又为vI3.5V vO=vI=0V 若ωt=3π/2，则vI=6sin3π/2=-6V 可见仍为vI3.5V vO=vI=-6V 若ωt=2π，则vI=6sin2π=0V vI3.5V vO=vI=0V 据前面讨论可得 vO 的波形 3 3 0 6 9 6 9 vO/V vI/V π/2 π 3π/2 2π ωt VREF+Vth=3.5V 传输特性图 斜率＝1 斜率= =0.17 π π/2 3 3 0 6 9 6 9 vO/V vI/V π/2 π 3π/2 2π -3 3 0 6 9 -6 -9 vO/V 3π/2 2π