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第5章 重点 第5章 晶闸管电路 第 1 节 功率电子器件 第 2 节 可控桥式整流电路 第 3 节 晶闸管触发电路 第 4 节 调压、变频、逆变和斩波技术 第 5 节 功率电子器件的保护电路 第 6 节 晶闸管交流开关电路实例 （3）电压与电流的计算（加入续流二极管后的 情况） ULT = ILT 负载中的电压及电流 当? L R时， ILT在整个周期中可近似 看做直流。 IT = 晶闸管的中电流 IT = 平均值: 有效值: 晶闸管的选择 晶闸管电压 （1.5 ~ 2）U2M 晶闸管电流 （1.5）× 二、单相桥式半控整流电路 1、 电阻性负载桥式可控整流电路 （1）电路及工作原理 u2 0的导通路径： u2 (A) V1 RL V4 u2 (B) V1、V2 --晶闸管 V3、V4 --晶体管 V1 V2 V3 V4 RL uL u2 A B + - V2 RL V3 u2 (A) u2 (B) u2 0的导通路径： V1、V2 --晶闸管 V3、V4 –二极管 V1 V2 V3 V4 RL uL u2 A B + - （2）工作波形 t u2 t uG t uL t uT1 输出电压及电流的平均值 ULT = ILT = （3） 2、 电感性负载桥式可控整流电路 该电路加续流二极管后电路工作情况以及负载上的电流、电压和电阻性负载类似，请自行分析。 u2 V1 V2 V3 V4 V uL R L 两种常用可控整流电路的特点 （1） 电路 特点 该电路只用一只晶闸管，且其 上无反向电压。 晶闸管和负载上的电流相同。 u2 V V2 V1 V4 uL RL V3 （2） 电路 特点 该电路接入电感性负载时，V2、V4 便起续流二极管作用。 由于V1的阳极和V3的阴极相连，两 管控制极必须加独立的触发信号。 V1 V3 V2 V4 u2 uL R L 思考 带反电动势负载的可控整流电路 该电路的工作过程。 画出uL、iL的工作波形。 V1 V2 V3 V4 R uL u2 E + - 触发电路产生的触发脉冲须满足下列要求： 1、足够的功率； 2、一定的宽度； 3、与主电路同步； 4、一定的移相范围。 第3节 晶闸管触发电路 产生的方式： 1、单结晶体管触发电路； 2、集成触发电路。 一、单结晶体管触发电路 等效电路 E B2 B1 RB2 RB1 管内基极 体电阻 E （发射极） B2 （第二基极） B1 （第一基极） N P PN结 E B2 B1 基本结构 符号 1、单结晶体管 工作原理 UA UE UA+UEA = UP 时 PN结反偏，IE很小； UE ? UP时 PN结正向导通, IE迅速增加。 ? ? -- 分压比 (0.35 ~ 0.75) UP -- 峰点电压 UEA -- PN结正向 导通压降 B2 E RB1 RB2 B1 A UB B IE UE 2 单结晶体管的特性和参数 IE UE UV UP IV UV、IV --谷点电压、电流 （ UEUV时单结管截止） 负阻区：UEUP后， 大量空穴注入基区， 致使IE增加、UE反 而下降，出现负阻。 UP-- 峰点电压 （UEUP时单结管导通） B2 E RB1 RB2 B1 A UB B IE UE 3、单结晶体管振荡电路 R R2 R1 C U uc uO E B1 uc t t uo uv up 振荡波形 uE = uC UP 时，单结管不导通，uo ? 0。 此时R1上的电流很小，其值为： 振荡过程分析 IR1 R1、R2是外加的，不同于内 部的RB1、RB2。前者一般取 几十欧~几百欧； RB1+RB2 一般为2~15千欧。 uO R2 R1 R C U uc E 随电容的 充电，uc逐渐升高。当 uC ? UP 时，单结管导通。然后电容放电，R1上便得到一个脉冲电压。 R2 R1 R C U uc E uO R2起温度补偿作用 uc Up Uv uo Up-UD UP、UV-- 峰点、谷点电压 UD --PN结正向导通压降 注意：R值不能选的太小，否则单结管不能 关断，电路亦不能振荡。 电容放电至 uc ? uv时，单结管重新关断，使 uo?0。 脉冲宽度的计算： T uo uc up uv tw 振荡周期的计算： * 第 5 章 现代电力电子电路 晶闸管工作原理 单相可控整流电路 别名： 可控硅（SCR) （Silicon Controlled Rectifier）