第三章 铪场效应管.pptVIP

3.1 绝缘栅型（MOS）场效应晶体管 P沟道MOS（Metal Oxidized Semiconductor) 二、N沟道增强型MOS管的基本工作原理 三、N沟道增强型MOS管的伏安特性曲线 输出特性曲线 三、结型场效应管的特性曲线 1、输出特性曲线 输出特性曲线 输出特性曲线 2、转移特性曲线 结型场效应管的缺点： 1.4.4双极型和场效应型三极管的比较 作业 3.1.1 3.1.5 3.2.2 3.2.1 结型场效应管的基本工作原理 结型场效应管存在着内建初始导电沟道，这一点与耗尽型管类似。 结型场效应管应用时vGS必须加反偏电压，以通过耗尽层的宽度来调节沟道。 一、栅源电压vGS对管子工作的影响 时 设 时 沟道全夹断。 夹断电压： 当│vGS│↑时，PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 但当|vGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 vGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 时 导电沟道变为楔型 时 vDS继续增大时,沟道变短，iD基本不变。 沟道预夹断。 设 二、漏源电压vDS对管子工作的影响 ①可变电阻区：预夹断前。 ②电流饱和区（恒流区）： 预夹断后。 特点：△ ID /△ VGS ≈常数= gm 即： △ ID = gm △ VGS（放大原理） ③夹断区（截止区）。 予夹断曲线 vGS=0V -1V 可变电阻区 -2V -3V -4V -5V 夹断区 恒流区 iD v DS 0 vDS=vGS-VGS(off) IDSS 予夹断曲线 VGS=0V 1V 可变电阻区 2V 3V 4V 5V 夹断区 恒流区 iD v DS 0 饱和漏极电流 VGS(off) 夹断电压 恒流区 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 综上分析可知 场效应管沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。 场效应管是电压控制电流器件，恒流区iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，MOSFET栅极与沟道间绝缘，因此iG?0，输入电阻很高。 特性曲线 增强型MOS管象双极型三极管一样有一个开启电压VGS(th) (VT)，（相当于三极管死区电压）。 当 |VGS| 低于 |VGS(th) | 时，漏源之间无沟道，iD=0。 |VGS|高于 |VGS(th) | 时，形成反型层，漏源之间加电压后, 耗尽型场效应管的工作原理类似结型场效应管。 返回 结构 VDMOS和IGBT管自学 电压或电流输入 * 第三章 场效应晶体管及其放大电路 场效应晶体管利用输入电压影响导电沟道的形状，进而控制输出电流 场效应管的主要特点： 输入阻抗高 多子导电，热稳定性好 本章重点介绍场效应管的结构、工作原理及其应用电路。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： N P P PN结耗尽层 N 沟 道 G 栅极 D漏极 S源极 P 衬底 N N 源极 栅极 漏极 S G D JFET结构 IGFET结构 N 沟 道 返回 分增强型和耗尽型两类：各类又分NMOS和 PMOS两种： MOS （Metal Oxidized Semiconductor) 增强型N沟道示意 P 衬底 N N B 基底 源极 栅极 漏极 S G D 耗尽型N沟道示意 B 基底 P 衬底 N N + NMOS（E） 的电路符号 G D S B NMOS（D） 的电路符号 G S D B 源极 栅极 漏极 S G D + Sio2 Sio2 N沟道 增强型P沟道示意 N 衬底 P P B 基底 源极 栅极 漏极 S G D 耗尽型P沟道示意 B 基底 N 衬底 P P + PMOS（E） 的电路符号 G D S B PMOS（D） 的电路符号 G S D B 源极 栅极 漏极 S G D + Sio2 Sio2 P沟道 返回 3.1.1 增强型M