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　第31卷第3期 原 子 能 科 学 技 术 . 31, . 3 V o l N o 　1997年5月 A tom ic Energy Science and T echno logy M ay 1997 CMOS 器件的单粒子效应及其加固 宋钦岐 (骊山微电子公司, 临潼, 710600) 概要综述了 CM O S 器件的单粒子效应, 着重描述了 CM O S 器件的单粒子效应损伤机理, 并介 绍了抗单粒子效应的加固技术。 关键词　单粒子扰动　单粒子闭锁　抗单粒子加固 自从 1975 年美国发现通信卫星的数字电路 JK 触发器由于单个重核粒子的作用被触发, 出现随机翻转以来, 又陆续发现陶瓷管壳所含的微量放射性同位素铀和钍放出的 粒子以及 宇宙射线中的高能中子、质子、电子等, 都能使集成电路产生单粒子效应。进一步的模拟试验和 在轨卫星的测试证实: 几乎所有的集成电路都能产生这种效应。这表明任何电路和由它们组成 的电子系统都存在着单粒子效应的严重威胁。 国外早就开展了集成电路单粒子效应的研究试验工作, 并取得了很大的进展。我国航天事 业的发展也同样面临着单粒子效应问题。为此, 许多有关部门和研究人员亦已开展了这种效应 的研究、试验和加固工作。 CM O S 工艺是在同1个芯片上制备 n 沟和 p 沟增强型M O S 晶体管。70 年代早期, RCA 把中小规模的 4000 系列的金属栅 CM O S 器件投放市场, 后来又发展了硅栅 CM O S 集成电 路。目前, 这种器件已逐步地代替了其他器件成为 RCA 等多家公司的产品器件。 CM O S 器件工作时总有 1 只晶体管处于截止状态, 具有最低的直流静态功耗。这种器件 又由于抗干扰能力强, 特别适用于条件恶劣的环境。加上工作速度较快, 电源电压范围较宽, 以 及可靠性好等优点, 已广泛应用于各个领域, 特别是宇航电子系统。正是由于宇航系统的广泛 应用, 促进了对 CM O S 器件的单粒子效应及其加固技术的深入研究。未加固的 CM O S 器件抗 单粒子能力仅为中下水平, 经抗单粒子加固后, 成为抗单粒子能力最好的器件之一。文章将着 重介绍 CM O S 器件的单粒子效应损伤机理和加固技术, 希望能对单粒子效应和加固技术研究 起一定的启示和促进作用。 1　CMOS 器件的单粒子扰动 [ 1 ] 高能粒子注入CM O S 器件可以引起该器件产生扰动 。图1示出了 CM O S SRAM 单元内 收稿日期:　收到修改稿日期: 第3期　　宋钦岐: CM O S 器件的单粒子效应及其加固 251 的单粒子扰动灵敏区和扰动离子径迹。图中灵敏 区为p 沟晶体管的源区和 n 沟晶体管的漏区。每 ( 个结面积周围都存在空间电荷耗尽区 忽略了高 + + ) 掺杂N 和 P 区的耗尽区 。高能离子径迹A 和 D 通过 P + 和N + 区中心, 可以从耗尽区和由电荷 聚集效应收集瞬态电荷; 而离子径迹 B 和 C 只 通过耗尽区, 由于离子径迹与高掺杂的 P + 和N + 区距离的增加, 则电荷的聚集效应降低, 主要考 虑耗尽区内的收集电荷。试验观测到, 最灵敏的 离子径迹在耗尽区内, 又正好为 N + 漏区边缘和