晶闸管及其触发电越路简介.pptVIP

电力电子技术 华南师范大学 主讲：陈厚福 第一章 电力二极管和晶闸管 门极关断（GTO）晶闸管 电力场效应晶体管（Power MOSFET） 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第五章 晶闸管的触发电路 对于触发电路通常有如下要求： 第一节 单结晶体管触发电路 电力电子技术 第5章 晶闸管的触发电路 电力二极管 1 晶闸管 2 双向晶闸管及其他派生晶闸管 3 概 念 晶闸管就是硅晶体闸流管，普通晶闸管也称为可控硅（SCR），普通晶闸管是一种具有开关作用的大功率半导体器件。 晶闸管 的结构 晶闸管具有四层PNPN结构，引出阳极A、阴极K和门极G三个联接端。 晶闸管的常见封装外形有塑封型、螺栓型、平板型。 晶 闸 管 对于螺栓型封装的晶闸管，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便；平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 G 小电流塑封式 小电流螺栓式 大电流螺栓式 大电流平板式 图形符号 晶 闸 管 冷却方式：自然冷却（散热片）、风冷（风扇）、水冷。 自冷式 风冷式 水冷式 晶 闸 管 SCR导通条件： UAK0 同时 UGK0 综上所述 由导通→关断的条件：使流过SCR的电流降低至维持电流以下。 晶 闸 管 相同点 与普通晶闸管(SCR)的相同点：PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和极。 1. 结构 A K G A G K IA IC1 IC2 P1N1P2 N1P2N2 α1 α2 IK P1 N1 P2 N2 A K G 不同点 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极在器件内部分别并联在一起。 门极关断晶闸管（Gate Turn Off thyristor ） 2. 导通关断条件 导 通 与晶闸管相同，AK正偏，GK正偏。 A K G EA EG A G K R IA IC1 IC2 P1N1P2 N1P2N2 α1 α2 IG IK 导通过程等效电路 门极关断（GTO）晶闸管 2. 导通关断条件 关 断 门极加负脉冲电流。 A K G G N1P2N2 EA EG A K R IA IC1 IC2 P1N1P2 α1 α2 －IG IK S 关断过程等效电路 P1 N1 P2 N2 A K G 门极关断（GTO）晶闸管 电力MOSFET的结构和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 G 栅极 D 漏极 S 源极 1、结构 2、导通关断条件 漏源极导通条件 在栅源极间加正电压UGS 漏源极关断条件 栅源极间电压UGS为零 N沟道 G S D 电力场效应晶体管（Power MOSFET） 绝缘栅双极型晶体管简称为IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）,是80年代中期发展起来的一种新型复合器件。 IGBT综合了MOSFET和GTR的输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。成为当前电力半导体器件的发展方向。 结构 复合结构（= MOSFET+GTR） 栅极 集电极 发射极 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 导通关断条件 驱动原理与电力MOSFET基本相同，属于场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 E G C 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 导通条件：在栅射极间加正 电压UGE。 UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 E G C 导通关断条件 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 关断条件：栅射极反压或无 信号。 栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 导通关断条件 E G C 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 双向晶闸管及其他派生晶闸管 双向晶闸管的外形与结构 双向晶闸管的外形与普通晶闸管类似，有塑封式、螺栓式和平板式。 平板式 螺栓式 内部结构是一种NPNPN五层结构引出三个端线的器件。 相当于两个门极接在一起的普通晶闸管反并联。 T2 T1 G G T1 T2 G 双向晶闸管的外形与结构 双向晶闸管及其他派生晶闸管 单结晶体管触发电路 1 同步电压为锯齿波的触发电路 2 集成触发电路及数字触发电路 3 触发电路与主电路电压的同步 4 触 发 电 路 在晶闸管可控整流电路中，当晶闸管承受正向电压时，必须在门极和阴极之间加适当的正向电压晶