第3a讲半下导体三极管.ppt

目 录 导 航 晶体三极管的结构 三极管的放大作用 三极管的参数与型号 万用表简介 利用万用表判别管脚 三极管的输入特性 三极管的输出特性 三极管的开关作用 §1 半导体三极管 晶体三极管的结构 三极管的电流分配关系 三极管的电流放大作用 半导体三极管的型号 双极型三极管的参数 万用表简介 数字万用表面板简介 使用万用表判别二极管管脚 用二极管档测量 当红表笔接“正”,黑表笔接“负”时,二极管正向导通,显示PN结压降 (硅：0.5~0.7V) (锗：0.2~0.3V) 反之二极管截止,首位显示为“1” 也可用电阻档测量。 用万用表判别三极管管型和管脚 可先将三极管看成两个相连的二极管 用电阻档找到基极,判断管型: 当红表笔接某管脚都能正向导通时,红表笔所接为基极,该三极管是PNP型； 同理,黑表笔接基极都能导通的是NPN型三极管。 判别三极管基极的方法 判别三极管基极和管型 用万用表判别三极管管型和管脚 测量放大倍数,判别c和e极 将万用表量程置于hFE档 将已测量出管型和基极的晶体管对号插入右图的测试孔中。基极b插入B孔中,其余两个管脚随意插入,若放大倍数较大时,则c和e极插入正确。 准备判别CE极 判别CE极(NPN) 判别CE极(PNP) 三极管的输入特性 共射输出特性 三极管的输出特性 三极管的开关作用 例1： A管为PNP型锗管 x-发射极， y-基极， z-集电极。 课堂练习与作业 复习思考题: P.115, 4.1.1、4.1.2、4.1.7 课堂练习： P.185, 4.1.1、4.2.3 作业： P.186, 4.1.2 用万用表检测穿透电流 ICEO 用万用表检测穿透电流 ICEO 通过测量C、E间的电阻来估计穿透电流 ICEO的大小。 一般情况下， 中、小功率锗管C、E间的电阻 10 k?； 大功率锗管C、E间的电阻 1.5 k?； 硅管C、E间的电阻 100 k?（在 R ? 10 k?挡测量）。 ?1k ? 0 ?1k ? 0 检测反向击穿电压 U(BR)CEO 检测反向击穿电压 U(BR)CEO 反向击穿电压低于50V的晶体管,可按图示电路检测。 39 k? 5.1 k? LED 10~50 V A B 2SA1015 增大电源电压,当发光二极管LED闪亮时,A、B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。 39 k? 5.1 k? LED 10~50 V A B 2SA1015 3.特性曲线 UCE IC UBE RB IB USC USB 实验线路(共发射极接法) V V C B E RC ?A mA 进行如下实验: 请将实验图画在笔记本上! IB 与UBE的关系曲线 （同二极管） 实验（1）输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压,硅管0.5V 工作压降：硅管UBE ? 0.7V 观看动画 实验（2）输出特性 (IC与UCE的关系曲线) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 40?A 60?A Q Q’ ? = IC / IB =2 mA/ 40?A=50 ? = ? IC / ? IB =(3-2)mA/(60-40) ?A=50 ? = IC / IB =3 mA/ 60?A=50 观看动画 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关，IC=?IB ,且 ? IC = ? ? IB 。此区域称为线性放大区。 此区域中UCE?UBE,集电结正偏,?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电压,称为截止区。 输出特性三个区域的特点: (1) 放大区 BE结正偏，BC结反偏， IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB (2) 饱和区 BE结正偏，BC结正偏 ，即UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区 UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 观看动画 测量三极管三个电极对地电位,试判断三极管的工作状态 放大 截止 饱和 - + 正偏 反偏 - + + - 正偏 反偏 + - 放大VcVbVe 放大VcVbVe 发射结和集电结均为反偏。 发射结和集电结均为正偏。 测得VB =4.5 V 、VE =3.8 V 、VC =8 V， 试判断三极管的工作状态。 放大 例2： 在电路中测得晶体管各电极对电位参考点的直流电压如下，试确定它们各为