第四章 半导体的导电性..pptVIP

* * * * * * * 杂质浓度增高时，非线性曲线。 原因： 一是杂质在室温下不能全部电离 二是迁移率随杂质浓度的增加将显著下降。 由电阻率可确定所含杂质的浓度。材料越纯，电阻率越高（不适于高度补偿的材料）。 4.4.2 电阻率随温度的变化 1）本征半导体 2）掺杂半导体：杂质电离、本征激发同时存在，电离杂质散射和晶格散射机构的存在，电阻率随温度的变化关系复杂。（AB BC C三段） 硅?与T关系 0 ? A B C T 载流子来源 杂质电离1 本征激发2 迁移率因素 电离杂质散射3 晶格散射4 载流子变化 迁移率变化 1 2 3 4 AB 随T增加 忽略 随T增加 忽略 BC 全电离 次要 次要 随T降低 C 次要 随T增加 次要 次要 电阻率与材料性质有关，禁带宽度越大，同一温度下的本征载流子浓度就越低，进入本征导电的温度也越高 锗器最高工作温度为100℃，硅为250℃，而砷化镓可达450℃。 硅?与T关系 0 ? A B C T 4.6 强电场下的效应、热载流子 4.6.1 欧姆定律的偏离 现象： 1－低场下vd∝E线性关系 2－中等强度电场vd∝E1/2 亚线性关系 3－强场下vd饱和 强电场下欧姆定律发生偏离的原因： 　　载流子与晶格振动散射时的能量交换进行说明 　　 解释： 1o低场下vd （~ 107cm/s），τ决定于 ，与vd无关，与E无关. 2o中场下（E≥103~4V/cm）vd~ τ决定于 和vd，E↑τ↓μ↓ 3o强场下，发射光学声子成为动量驰豫和能量驰豫的主要机制，速度达到饱和 强场下载流子的平均动能明显高于热平衡时的值---热载流子 1o热载流子受电离杂质散射弱，但声子散射（特别是光学声子）可以很强； 2o热载流子可以在等价或不等价能谷间转移 习题：2、7、11、14、16、18 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2）晶格振动散射 在一定温度下，晶格中原子都各自在其平衡位置附近作微振动。 格波： 晶格中原子的振动是由若干不同的基本波动按照波的叠加原理组合而成，这些基本波动称为格波。 格波波数矢量 ：表示格波的波长及其传播方向。 波矢的数值为格波波长 的倒数，方向为格波传播的方向。 振动方式: 3个光学波=1个纵波+2个横波 3个声学波=1个纵波+2个横波 有N个原胞的晶体 有N个格波波矢q 一个晶体中，具有同样 的格波不只一个，具体数目决定于晶格原胞中所含的原子数。对锗、硅、砷化镓，对应于每一个 有六个不同的格波。 6个格波频率： 3支光学波(高频)+3支声学波(低频) 三个光学波=两个横波+一个纵波 三个声学波=两个横波+一个纵波 纵波 横波 传播方向 平衡位置 原子 　频率为 ?a 的一个格波，能量是量子化的，只能是　（1/2）h ?a ， （3/2）h ?a ，….. (n+1/2)h ?a 　　格波能量以h?a为单元，格波能量变化是h?a 整数倍。称为声子。 声子是一种准粒子，它既有能量又有动量. 晶格与其他物质（如电子、光子）相互作用而交换能量时，晶格原子的振动状态就要发生变化，格波能量就改变。 　放出一个声子：当格波能量减少一个h?a 吸收一个声子：增加一个 h?a 电子受晶格振动的散射----电子与声子的散射 （格波） （吸收或释放一个声子） 声子散射遵循能量守恒和动量守恒定律 a、声学波散射概率： b、光学波散射概率： ：为与纵光学波对应的声子的能量。 ：表示平均声子数。 当温度较低时，平均声子数迅速降低，散射几率随温度的下降而很快减小。即光学波散射在低温时不起什么作用。随着温度升高，平均声子数增多，光学波的散射几率迅速增大。 3)其它散射机构 1）等同能谷间散射 半导体中有多个极值能量相同的等能面，载流子在这些能谷中的分布相同，这些能谷称为等同的能谷。 对这种多能谷半导体，电子可以从一个极值附近散射到另一个极值附近，这种散射称为谷间散射。 A、弹性散射：当电子与长声学波散射时，能量改变很小 B、非弹性散射：当电子与长光学波散射时，能量改变较大 散射概率： 第一项对应于吸收一个声子的概率， 第二