第3章浩场效应管及其基本放大电路.ppt

预备知识：PN结正偏，空间电荷区变窄； PN结反偏，空间电荷区变宽。N型半导体 中，自由电子为多子，空穴为少子。 (2)栅源间外加负向电压UGS时，两个PN结均处反偏状态。随着UGS负向增大，加在PN结上的反偏电压增大，则耗尽层加宽。由于N沟道掺杂浓度较低，故耗尽层主要集中在沟道一侧。耗尽层加宽，使得沟道变窄，沟道电阻增大。 当栅源间无外加电压时，由于漏源间不存在导电沟道，所以无论在漏源间加上何种极性的电压，都不会产生漏极电流。 　　正常工作时，栅源间必须外加电压以使导电沟道产生，导电沟道产生过程如下： 当uGS UGS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V， uGS=4V） 2. 场效应管放大电路 的微变等效电路 四、改进电路 3.2.3共漏放大电路 解方程得：IDQ1 = 0.69 mA，UGSQ = – 2.5V (增根，舍去) IDQ2 = 0.45 mA ， UGSQ = – 0.4 V RL RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG2 G S D RG1 RG3 10 k? 10 k? 200 k? 64 k? 1 M? 2 k? 5 k? +24V O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V –2 V uGS = 2 V 0 V – 2 V – 5 V N 沟道结型 S G D iD S G D iD P 沟道结型 uGS /V iD /mA 5 – 5 O IDSS UGS(off) O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V uGS = 0 V – 2 V – 5 V 3.1.3 场效应管的主要参数 开启电压 UGS(th)(增强型) 夹断电压 UGS(off)(耗尽型) 指 uDS = 某值，使漏极 电流 iD 为某一小电流时 的 uGS 值。 UGS(th) UGS(off) 2. 饱和漏极电流 IDSS 耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。 IDSS uGS /V iD /mA O UGS(th) UGS(off) 3. 直流输入电阻 RGS 指漏源间短路时，栅、源间加 反向电压呈现的直流电阻。 JFET：RGS 107 ? MOSFET：RGS = 109 ? 1015?? IDSS uGS /V iD /mA O 4. 低频跨导 gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力， 单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS) uGS /V iD /mA Q O PDM = uDS iD，受温度限制。 5. 漏源动态电阻 rds 6. 最大漏极功耗 PDM 3.2.3 场效应管与晶体管的比较 都可用于放大电路和开关电路等 适用范围 漏极和源极对称，可互换使用 集电极和发射极不对称，不能互换 结构对称性 很小 中等 噪声 温度稳定性好、抗辐射能力强 受温度和辐射的影响较大 稳定性 大 JFET可达107Ω以上, MOS可达1010Ω 小 约几kΩ 直流输入电阻 较低 高 放大能力 电压控制 电流控制 控制方式 利用多子导电 利用多子和少子导电 导电机理 场效应管 晶体管 管子名称 【例3-1】 已知某场效应管的转移特性曲线如图3-15 所示，试确定场效应管的类型。 UGS（th）=2V 为N沟道增强型MOS管。 【例3-2】 电路如图3-16(a)所示，场效应管的输出特性如图3-16(b)所示，分析当uI＝3V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 解： UGS（th）=5V uGS＝uI 当uI＝3V时，uGS小于开启电压， 即uGSUGS(th)，故场效应管截止。 当uI＝8V时，uGSUGS(th)，场效应管导通，假设场效应管工作在恒流区，根据输出特性可知iD≈0.6mA，则管压降 uDS≈VDD﹣iDRd=12﹣0.6×3.3≈10V uGS﹣UGS(th)=8V﹣5V=3V， 所以，uDSuGS﹣UGS(th)， 说明假设成立，即场效应管工作在恒流区。 因为：uDS≈10V 当uI＝12V时，uGSUGS(th)，场效应管导通， 假设场效应管工作在恒流区 可知，当UGS=12V时 iD≈4mA 则：uDS=VDD﹣iDRd=12﹣4×3.3