全透明ZnO紫外光电探测器的室温制备与性能研究-光学工程专业论文.pdf.docxVIP

声 声 明 本学位论文是我在导师的指导下取得的研究成果，尽我所知，在 本学位论文中，除了加以标注和致谢的部分外，不包含其他人已经发 表或公布过的研究成果，也不包含我为获得任何教育机构的学位或学 历而使用过的材料。与我一同工作的同事对本学位论文做出的贡献均 已在论文中作了明确的说明。 研究生签名：骧 ≯还年1旯步 学位论文使用授权声明 南京理工大学有权保存本学位论文的电子和纸质文档，可以借阅 或上网公布本学位论文的部分或全部内容，可以向有关部门或机构送 交并授权其保存、借阅或上网公布本学位论文的部分或全部内容。对 于保密论文，按保密的有关规定和程序处理。 1—争 研究生签名： 蔓丛 川J钙月夕日 硕士学位论文 硕士学位论文 全透明ZnO紫外光电探测器的室温制各与性能研究 摘 要 l删燮燃 半导体紫外光电探测器在民用、军事以及商业方面都有着广泛的应用，近年 来引起了人们的极大研究兴趣。ZnO由于其优异的光学以及电学性质，在紫外光 电探测器领域有着广泛的应用前景。 全透明是电子产品未来发展的必然趋势，因此本文新提出在价格低廉的普通 玻璃衬底上、常温下制备全透明ZnO薄膜，以ZnO紫外光电探测器的制备及其 光电性质的研究为中心展开，对ZnO薄膜本身的制备和表征、紫外探测器的制 备和表征分别进行了深入的研究。 首先选用磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备ZnO薄膜，利用XRD以及PL 分析比较了不同工艺参数下制备的样品的薄膜质量。先后研究了溅射功率、溅射 压强和退火处理对薄膜结晶质量的影响，经过分析比较XRD的特征衍射峰强度、 半宽高、晶粒尺寸大小，以及比较PL谱中由缺陷引起的峰的强弱，得出最佳工 艺参数。 随后在ZnO薄膜上制备MSM结构紫外光电探测器，探索不同功函数的金 属电极、退火与否以及不同的退火气氛、不同的叉指对数对探测器性能的影响， 性能测试包括I．v特性曲线、开关比以及紫外光响应度、紫外可见光抑制比等。 所制备的ZnO紫外探测器的成本低廉，性能良好，在可见光区域透过率高 于90％，实现了在普通玻璃衬底上、常温下制备全透明ZnO紫外光电探测器。 在保证紫外光电探测器性能的同时，成本大大减小，所开展的工作对ZnO薄膜 在光电领域的应用具有一定的意义。 关键词：紫外光电探测器，磁控溅射，ZnO薄膜，MSM结构 Abstract Abstract 硕士学位论文 Abstract Semiconductor UV photodetectors have been widely used in many fields such as civilian and military in recent years，which spark a great interest in the study．Because of the excellent optical and electrical properties，ZnO has broad application prospect in the field ofUV photodetectors．How tO meet the demands ofthe device functionality while reducing the production cost has been one of research directions of ZnO-based ultraviolet photodetectors． This paper proposed a new idea of preparing the photodetectors on the low price， ordinary glass substrate，focused on the preparation of ZnO UV photodetector and the research of its photoelectrical properties，involving not only the preparation and characterization of ZnO thin film itself but also the preparation and characterization of the UV photodetector．Th