基于单壁碳纳米管和单层石墨的有机光伏电池的研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

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基于单壁碳纳米管和单层石墨的有机光伏电池的研究-凝聚态物理专业论文

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘要碳纳米管作为具有极高电荷传输能力的一维纳米导线,人们已经将其广泛用 摘要 碳纳米管作为具有极高电荷传输能力的一维纳米导线,人们已经将其广泛用 于光电子器件如场效应晶体管,有机光伏电池等的制备。嚣碳纳米管在光伏器件 活性层中的分散很差,这大大影响器件的性能。本章工作采用一种侧链中带有萘 环的新型的聚苯撑乙炔(PPE)共轭高分子材料对SWNTs实现了良好的分散。使用 SWNTs偿PE作为有机光伏电池的活性层材料,我们制作了光伏电池,其结构为 ITO(一--17 Q sq1)/PEDOT:PSS(30 rim)/PPE:SWNTs(100 rim)/LiFO rim)/Al(80 nm)。我们获得了开路电压为1.舛V,短路电流为0.25 mA cm五,与而其有相同 结构的基于P30T/SWNTs的光伏电池转化率相当(开路电压为0.6 V,短路电流 0。3 mAcm也),而电压很高。 单层石墨是具有二维结构单原子厚度的单晶,它作为一个零带隙的半导体材 料,在室温下它的电子迁移率达到15,000 cm2 V1 s.1。本工作中,我们将有机可 溶解的单层石墨材料作为新型受体材料与P3HT和P30T复合用在本体异质结有 机光伏电池中。这种功能化的单层石墨可以很容易的溶解在有机溶剂中与P3HT 或P30T形成均一分散的复合材料。单层石墨与P3HT或P30T之间具有很强的 电子相互作用和能量转移,这就使它能作为一种有效的受体材料用在本体异质结 光伏电池中。通过控制对基于单层石墨/P3HT的光伏器件的热处理可以显著提高 它的光电转化效率,在AMl.5G强度为100 mW的模拟太阳光的照射下,具有 ITO(一17 Q sqd)/PEDOT:PSS(40 nm)/P3HT:单层石墨(100 nm)/LiF(1 nm)/Al(70 rim) 结构器件产生的Voc为0.70 V,厶为4.0 mA吨,理为l。1%。 影响光伏器件性能的诸多因素当中,电荷的收集是一个非常重要的因素。为 改善空穴在电极处的收集,人们通常使用PEDOT:PSS作为缓冲层来修饰铟锡玻 璃(ITO)电极。因此PEDOT:PSS缓冲层的电学性质对整个器件的性能具有至关重 要的影响。我们将单层石墨引入到光伏器件的活性层之中并制备了具有ITO/缓 冲层(40 nm)/P3HT:PCBM(1:O。6,1 00 nm)/LiF(1 nm)/A1(70 rim)的器件。该器件 显示如了3。8%的能量转化效率,比基于纯的PEDOT:PSS缓冲层的器件性能(2。1%) 高出将近80%。 关键词:有机光伏电池,碳纳米管,聚苯撑乙炔,单层石墨,聚噻吩 AbstractCa№n Abstract Ca№n nanotubes(CNTs)are one dimensional nanomaterials of a hi蹲 conductivity;they have been widely used to fabricate opto-electronic devices such as field effect trainsistors,organic photovoltaic cells,etc,明∞overall performance of the photovoltaic device based on the acceptor of SWNT is very low because of the highly aggregation of S礴NT.眠prepared a photovoltaic device based on an active layer of novel naphthyl substituted PP薹影S洲]艮,in which good dispersion of SWNTs in PPE matrix iS obtained.W妇a device structure of ITO(----1 7 Q sq-lV PEDOT:PSS(30 rim)/PPE:SWNTs(100 nm)/LiF(I nm)/pd(80 rim),we obtained a Voc of 1.04 V矗 of 0.25 mA-2,群of 0.05%which is relatively good than a control device baSed on P3P群SWN骼(汤c--0.6 V√≯=o.30 mA-2,坪躏.05%). Graphene is a single atom layered 2 dimensional single crystal shows zero band gap and high electro

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