IC方案原理.ppt

1.1.1典型PN结隔离工艺流程 1.2.1 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 （ 参考P阱硅栅CMOS工艺流程） 1.2.7 LDD注入 1.2.8 接触孔掺杂 1.2.9 其它MOS工艺简介 * * * §1.2 N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺 * 思考题 1.需要几块光刻掩膜版？各自的作用是什么？ 2.什么是局部氧化（LOCOS ) ？  （Local Oxidation of Silicon) 3.什么是硅栅自对准(Self Aligned )？ 4. N阱的作用是什么？ 5. NMOS和PMOS的源漏如何形成的？ * * 场区光刻 衬底准备 生长SiO2和Si3N4 N阱光刻、注入、推进 生长SiO2和Si3N4 N管场区光刻、注入 阈值电压调整区光刻、注入 清洁有源区表面、长栅氧 场区氧化(局部氧化) 多晶淀积、参杂、光刻 N管LDD光刻、注入 P+有源区光刻、注入 P管LDD光刻、注入 N+有源区光刻、注入 BPSG淀积 接触孔光刻 N+接触孔光刻、注入 淀积金属1、反刻 淀积绝缘介质 通孔孔光刻 淀积金属2、反刻 淀积钝化层、光刻 侧墙氧化物淀积、侧墙腐蚀 * 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程1.衬底准备 P+/P外延片 P型单晶片 * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程2. 氧化、光刻N-阱(nwell) * N阱 P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 * P-Sub N阱 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程4.长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版) * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程6. 栅氧化,淀积多晶硅，反刻多晶 （polysilicon—poly) * P-Sub P-Sub P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程7. P+ active注入（Pplus）（ 硅栅自对准） * P-Sub P-Sub P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程8. N+ active注入（Nplus —Pplus反版）  （ 硅栅自对准） * P-Sub P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程9. 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流 * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程10. 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1) * P-Sub P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程11. 绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via) * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程12. 蒸镀金属2，反刻金属2（metal2) * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程13. 钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad) * 1.2.3 N阱硅栅CMOS工艺 光刻掩膜版汇总简图 N阱 ?有源区 ?多晶 ?Pplus ?Nplus ?接触孔 ?金属1 ?通孔 ?金属2 ?PAD * 1.2.4 局部氧化的作用 2. 减缓表面台阶 3. 减小表面漏电流 P-Sub N-阱 1. 提高场区阈值电压 * 1.2.5 硅栅自对准的作用 在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用来形成MOS管的沟道区，使MOS管的沟道尺寸更精确，寄生电容更小。 P-Sub N-阱 * 1.2.6 MOS管衬底电极的引出 NMOS管和PMOS管的衬底电极都从上表面引出，由于P-Sub和N阱的参杂浓度都较低，为了避免整流接触，电极引出处必须有浓参杂区。 P-Sub N-阱 在P+（N+）有源区注入前可以进行LDD注入，以便减小短沟道效应和热载流子效应。 用Pplus版光刻后进行PMOS管LDD注入， 用Nplus版光刻后进行NMOS管LDD注入， 都是以光刻胶膜作为注入遮蔽膜。 LDD注入之后，先制作侧墙，然后再进行P+（N+）有源区光刻、注入。 为了改善有源区接触孔特性，在光刻接触孔之后、回流之前， 用Nplus 版光刻，对接触孔进行N+注入 用Pplus 版光刻，对接触孔进行P+注入 双层多晶：易做多晶电容、多晶电阻、叠栅MOS器件，适合CMOS数/模混合电路、EEPROM等 多层金属：便于布线，连