MOSFET探测器测量组织补偿胶对表面剂量的影响.doc

缩略词表 MOSFET 探测器测量组织补偿胶对表面剂量的影响 缩略词表 英文缩写英文全称 中文全称 MOSFET metal oxide semiconductor 金属氧化物半导体 field effect transistor 场效应晶体管 CF calibration factor 校准因子 SSD source-skin distance 源皮距 TLD thermoluminescent dosimeter 热释光剂量计 TPS treatment planning system 治疗计划系统 IMRT intensity modulated radiotherapy 三维调强适形放疗 HDR high dose rate 高剂量率 PDD percentage depth dose 百分深度剂量 IAEA internal atomic energy agency 国际原子能机构 SD standard deviaton 标准偏差 36 MOSFET 探测器测量组织补偿胶对表面剂量的影响 引 言 引 言 不同能量X(γ) 射线百分深度剂量分布特性之一就是随射线能量增加,体模表 面剂量下降,最大剂量点深度增加,百分深度剂量(最大剂量点后) 增加,从表面到最 大剂量点深度为剂量建成区。6 MV X射线为15 mm。高能X(γ) 射线的剂量建成效 应要优于中低能X 射线,在临床应用中可起到保护皮肤的作用,即在使较深部的肿 瘤得到较高剂量的同时使皮肤免于高剂量的损伤[2]。对于表浅肿瘤如乳腺癌、皮肤 癌，为了提高皮肤表面剂量，现代肿瘤放疗大多采用组织补偿胶（也称作皮肤填 充物,组织等效膜）增加皮肤剂量，最大限度提高皮肤及皮下组织剂量，减少深部 组织如肺剂量[3]。组织补偿胶可使皮肤表面平均PDD增加,文献已有报道[4],比如乳 腺癌的放射治疗，使用不同厚度的组织补偿胶对皮肤及皮下组织剂量产生不同的 影响，对于T1、T2期乳腺癌保乳术后一般不需要皮肤填充物，因为皮肤复发危险 低，其他期别的乳腺癌术后胸壁放疗均应使用皮肤填充物[5]。本实验采用金属氧化 物半导体场效应晶体管（metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET） 探测器对采用不同厚度组织补偿胶的胸壁表面剂量进行实时监测，了解使用组织 补偿胶对皮肤表面剂量的影响。 由于射线的建成效应，不同能量的射线到达皮肤的表面剂量不同，如电子线 的表面剂量在70%，4MV X射线表面剂量在50%左右，20MV X射线表面剂量不足 20%[4] ,在建成区内，组织吸收剂量随深度增加而增加，为了提高皮肤表面剂量， 临床上使用组织补偿来增加皮肤表面的建成深度从而提高剂量，常用的组织补偿 方法有薄膜塑料水袋、米袋、石蜡等组织补偿材料，近年来广泛运用于临床的是 组织补偿胶，由均匀的固体组织补偿凝胶制成, 在厚度、电子密度和均匀性方面严 格保持一致。对于组织补偿胶可提高皮肤表面剂量，文献已有报道[6,7], 但对于选 用何种厚度的补偿胶及各种厚度补偿胶对皮肤表面剂量的具体影响，文献鲜有报 道，对于临床应用比较广泛的几种射线如6-12MeV电子线，6-15MV X射线，其射 线建成深度一般在皮下3-20mm，根据经验，临床选用补偿胶的厚度一般在20mm 以内，如果超过20mm，皮肤及皮下组织就可能处于剂量跌落区，皮下及深部组织 剂量不足，难以达到剂量学要求。所以本实验选取的组织补偿胶厚度在3-20mm。 1 引 言 MOSFET 探测器测量组织补偿胶对表面剂量的影响 本实验采用美国 CIVCO 公司生产的组织补偿胶，由均匀的固体组织补偿凝 胶制成,密度为 1.03g/cc,面积为 30cm×30cm,厚度有 3mm,5mm,10mm,不会下陷、变 形和溢出。在厚度、电子密度和均匀性方面严格保持一致。可裁剪成理想的形状， 或分层,叠加以获得期望的组织补偿厚度。由于它具有均匀的组成成分和均一的厚 度，它也可作为体模材料。 MOSFET探测器对表面剂量进行实时监测，即时了解X射线与电子线照射时组 织补偿胶对表面剂量的影响，对放射治疗的质量控制及质量保证具有现实意义。 目前应用于临床肿瘤放射治疗剂量测量的绝大部分检测仪器仅适用于体模中 的剂量测量，剂量测量的目的主要局限于对治疗计划剂量计算准确性的物理验证 ［8］。而对人体体表吸收剂量的实时监测，尚缺乏有效的手段，但是在治疗计划实 施的过程中，器官的运动、摆位误差以及技术员的摆位精度等诸多因素均会增大 靶区剂量的不确定性，因此，剂量监测的最佳途径是直接测量患者体表或体内的 实际吸收剂量。热释光剂量计（thermoluminescent dosimeter,TLD）、半导体探测 ［9］［10