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1.1.1 晶体二极管的单向导电特性 工程应用 * 第 1 章 晶体二极管和二极管整流电路 本章学习目标 1.1 晶体二极管 1.2 晶体二极管整流电路 1.3 滤波器和硅稳压管稳压电路 本章小结 本章学习目标 理解半导体的基本常识,掌握 PN 结的单向导电性。 熟悉晶体二极管的外形、图形符号、文字符号。 掌握晶体二极管的伏安特性和参数,会用万用表检测二极管。 4. 理解整流的含义,清楚典型的整流电路类型,能分析其工作原理,能进行相应的计算。 理解滤波的概念,能清楚整流滤波器件和常用的滤波方式,掌握滤波的电路形式,理解电容滤波及电感滤波的工作原理,了解选择滤波电容的选择要求。 熟悉稳压二极管的工作特性和参数,理解硅稳压二极管稳压电路的工作原理。 1.1 晶体二极管 1.1.1 晶体二极管的单向导电特性 1.1.2 PN 结 1.1.3 二极管的伏安特性 1.1.4 二极管的简单测试 1.1.5 二极管的分类、型号和参数 工程应用 (1)外形:由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。如图所示; (2)符号: 三角形——正极, 竖杠——负极, V——二极管的文字符号。 1.晶体二极管 2.晶体二极管的单向导电性: 动画 PN 结的单向导电性 (1)正极电位 > 负极电位,二极管导通; (2)正极电位 < 负极电位,二极管截止。 即二极管正偏导通,反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。 [例 1.1.1] 如图所示电路中,当开关 S 闭合后,H1、H2 两个指示灯,哪一个可能发光? 解 由电路图可知,开关 S 闭合后,只有二极管 V1正极电位高于负极电位,即处于正向导通状态,所以 H1 指示灯发光。 1.1.2 PN 结 PN 结的形成 二极管由半导体材料制成。 1.半导体:导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。 如硅(Si)或锗(Ge)半导体。 半导体中,能够运载电荷的的粒子有两种: 自由电子:带负电 空穴:带与自由电子等量的正电 均可运载电荷——载流子 载流子:在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴,统称载流子,如图 所示。 半导体的两种载流子 动画 两种载流子 2.本征半导体:不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低,为提高导电性能,需掺杂,形成杂质半导体。 3.杂质半导体:为了提高半导体的导电性能,在本征半导体(4 价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同,可分两种: (1)P 型半导体:本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3 价)所形成的半导体,如P型硅。多数载流子为空穴,少数载流子为电子。 (2)N 型半导体:在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素(5 价)所形成的半导体,如 N 型硅。其中,多数载流子为电子,少数载流子为空穴。 将 P 型半导体和 N 型半导体使用特殊工艺连在一起,形成PN 结。 4.PN 结:N 型和 P 型半导体之间的特殊薄层称为 PN 结。PN 结是各种半导体器件的核心。如图所示。 PN 结 晶体二极管之所以具有单向导电性,其原因是内部具有一个PN 结。其正、负极对应于 PN 结的 P 型和 N 型半导体。 P 区接电源正极,N 区接电源负极,PN 结导通;反之,PN 结截止。 PN 结具有单向导电特性。即: 动画 PN 结的形成 1.1.3 二极管的伏安特性 测试二极管伏安特性电路 1.定义:二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性。 2.测试电路:如图所示。 3.伏安特性曲线:如图所示。 4.特点: 结论:正偏时电阻小,具有非线性。 导通后 V 两端电压基本恒定: ② VF>VT 时,V 导通,IF 急剧增大。 ① 正向电压 VF 小于门坎电压 VT 时,二极管 V 截止,正向电流 IF = 0; 其中,门坎电压 (1)正向特性 (2)反向特性 VR > VRM 时,IR 剧增,此现象称为反向电击穿。对应的电压 VRM 称为反向击穿电压。 反向电压 VR < VRM(反向击穿电压)时,反向电流 IR很小,且近似为常数,称为反向饱和电流。 结论:反偏电阻大,存在电击穿现象。 1.1.4 二极管的简单测试 万用表检测二极管 将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时,黑表笔接触处为正极,红表笔接触处为负极。 1.判别正负极性 用万用表检测二极管如图所示。 万用表测试条件:R ×100 或 R×1 k 挡; 2.判别好坏 万用表检测二极管 万用表测试条件:R ? 1k。 (3)若正向电阻约几千欧,反向电阻非常大,二极管正常。 (2)
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