金属锗硅固相反应及其接触特性研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘 要随 摘 要 随 着 集 成 电路 器 件 尺 寸 的持 续缩 小 ，短 沟 道 效 应 等 原 因 使 得 M O S 器 件 性 能 的继 续 提 高遇 到 了严 峻 的挑 战 ，SIG e 被 引 入 到 新 型 的器 件 结 构 中 ，通 过 在 沟 道 中产 生 应 变 来 提 高 沟 道 载 流 子 的迁 移 率 ，从 而 提 高器 件 的速 度 和 性 能 。此 外 ，日 益 缩 小 的器 件 尺 寸 也 使 M O S 器 件 源 漏 区 的 寄 生接 触 电阻不 可 忽 略 ，降低 源 漏 接 触 电阻是 小 尺 寸 器 件 中 不 得 不研 究和 解 决 的一 个 问题 ，Si 基 器 件 的 接 触 都 是通 过 与 金 属 固相 反 应 自对 准 地 形 成 金 属 硅 化 物 来 做 的 ，在 进 入 45 nln 及 以下 节 点 后 ， Ni 一 直 被 认 为 是 最 理 想 的接 触 金 属材 料 ，但 G e 的 引入 使 得锗 硅 化 物 的热 稳 定 性 变 差 ，N ISIG e/SIG e 接 触 在 电学 方 面 的特 性 还 没 有 得 到 广 泛 的研 究 。在 这 样 的 背 景 下 ，本 论 文 以 N 订SIG e 的 固相 反 应 为 研 究 对 象 ，利 用 蒸 发 、溅 射 、快 速 热 退 火 等 常 规 工 艺 手 段 和 一 系 列 物 相 、形 貌 、电学 表 征 方 法 对 该 系 统 的 固 相 反 应 特 性 进 行 了深 入 的研 究 ，取 得 了 以下 主 要 结 果 : L Ni 口t)/ siGe 反应 特 性 及 形成 肖特 基 接 触 特性 的研 究 N 订SIG e 反 应 形 成 的 N ISIG e 具 有 较 好 的物 相 稳 定 性 ，在 800 OC 高 温 下 也 不 会 转 变 为 N i(SiG e): 相 ，但 是 热 稳 定 性 较 差 ，随 着 温 度 升 高 ， (6O 0oC 以上 ) 薄 膜 开 始 发 生 明显 的 团聚 现 象 ，从 而 使 薄 膜 脱 离 低 阻 区 ，相应 温 度 下 形 成 的 肖特 基 接 触 特 性 也 发 生 退 化 ;引 入 Pt 中 间层 的 合 金 技 术 可 以提 高 N ISIG e 的热 稳 定 性 ， 延 缓 薄 膜 团 聚 现 象 的 发 生 ( 至 7 00 “C ) ，形 成 更 为 可 靠 的 肖特 基 接 触 ，更 均 匀 的 接 触 势 垒 。N ISIG e/n一510 8。G eo l6 接 触 具 有 与 Ni s 订n一Si 接 近 的 肖特 基 势 垒 ，大 约 为 0 .65 eV ，Pt 的 引入 可 以使 肖特 基 势 垒 提 高 到 0 .73 eV ;在 550 ℃ 恒 定 退 火 温 度 下 ， 退 火 时 间对 N ISIG e 薄 膜 质 量 具 有 显 著 的 影 响 ， 尤 其 当 退 火 时 间超 过 10 m in， N ISIG e 薄 膜 发 生 严 重 的 团 聚 现 象 ， 导 致 薄 膜 电 阻率 升 高 ， 肖特 基 二 级 管 接 触 特 性 退 化 。 2 . N 订SIG e 固相 反 应 的 原 位 x R D 测 试 研 究 采 用 原 位 x R D 测 试 技 术 对 N i/siG e 的 固相 反 应 进 行 了研 究 ，观 察 到 Ni Z(siG e)、 N ISIG e 物 相 的 顺 序 性 生 长 过 程 ， 并 发 现 N ISIG e 具 有 ( 130 ) 择 优 生 长 晶 向 。根 据 原 位 X R D 所 得 到 的 物 相 峰 位 信 息 ，研 究 了 N ISIG e 薄 膜 中 的 G e 分 凝 现 象 ，发 现 G e 在 较 低 的温 度 (4 00 OC ) 便 开 始 从 薄 膜 中析 出 ，较 低 的分 凝 温 度 可 能 与 原 位 测 试 所 需 施 加 的 较 长 热 应 力 时 间 有 关 。 在 较 低 温 度 下 对 样 品 进 行 了恒 温 原 位 X R D 测 试 ，根 据 物 相 衍 射 峰 的变 化 信 息 ，Ni Z(SiG e)、N ISIG e 两 个 物 相 均 具 有 扩 散 散 主 导 的 生 长 模 式 。 3 . N is iG ezp 气s iG e 接 触 电 阻率 研 究 在 p 气siG e 衬 底 上 制 作 了 K elv in 桥 结 构 样 品 ，进 行 了 Ni siG e币气siG e 接 触 电 阻 的测 量 ，经 过 对