石英、硅、陶瓷和LC振荡器材料特性和特征.PDF

White paper 石英、硅、陶瓷及 LC 振荡器的材料特性与特征 石英晶体振荡器与全硅 MEMS 振荡器的比较 【序文】 各种电子设备需要基准信号。为获得基准信号可以使用石英晶体振荡器，也可以通过其它元器件，例如LC 振荡器、CR振荡器、陶瓷振荡器或全硅MEMS振荡器等。LC振荡器利用电感（L）和电容（C ）组合后产生的 谐振现象起振频率；CR振荡器使用电容（C ）和电阻（R）所构成的充放电电路起振基准频率；陶瓷振荡器则 使用以锆钛酸铅（PZT）为主要材料的压电陶瓷；而全硅MEMS振荡器则是应用了MEMS （Micro Electro Mechanical Systems ，微机电系统）加工技术的硅基振荡器。从以上列举的多种类型的振荡器中选择时应当基 于用途进行。 通常用于微机时钟信号等情况时，其频率较低且频率精度要求也不太高，所以经常使用具有低价特征的陶瓷 振荡器。陶瓷振荡器的振荡频率约为200kHz-100MHz，室温条件下的频率公差一般在0.1%-0.5%左右。它虽然 具有价格低廉之优势，但振荡频率随温度的变化大，且精度低，综合性的频率稳定度约为±1.1%。 无线通信设备等要求振荡器具有高频和高频率精度的特征，在这些用途方面大多使用石英晶体振荡器。 近年来，硅基振荡器（全硅MEMS振荡器）等的性能也有所提高。但是，种类各异的振荡器因其起振方式的不 同而在性能方面存在着根本性的差异。本篇就不同类型的振荡器的特征进行解说。 【1】振荡单元和谐振单元的比较 产生基准信号的振荡器中使用的振荡单元和谐振单元有很多种类，例如利用对压电晶体施加电压而产生机械 应力的现象（逆压电效应）的压电驱动型，或者利用施加高电压时产生的静电的静电驱动型等。振荡单元和谐 振单元的特性与其使用的材料、结晶或电路性质有着密切的关系。 爱普生所提供的是石英晶体部件。《序文》中已经提到存在着各种类型的振荡单元和谐振单元。表1 汇总了 一般特征。我们将在下文中说明各自特征。 表 1：各类振荡单元、谐振单元特性比较 振荡单元或谐振单元 初始频率公差 频率温度特性 Q 値 石英 ◎ ◎ ◎ 硅 × × ○ 陶瓷 △ △ △ LC、CR × × × 【1-1】LC、CR 谐振单元 LC 谐振单元的谐振电路名副其实由电感（L）和电容（C ）组成。它比较适用于需要较高频率和较宽频率 可变范围的用途。与此相反，它的精度和稳定度并不出色。 而且，它在低频条件下需增大电感才能满足谐振条件，导致不得不使用较大的线圈，因此不适于小型化。如果 需要小型化，也可以改为不使用电感的 CR 谐振电路，但这又引发了难以应对高频的问题。 【1-2】陶瓷谐振单元 《序文》中介绍的陶瓷谐振单元使用的是以锆钛酸铅（PZT）为主要材料烧结而成的压电陶瓷。它的精度优 于 LC 振荡器，但初始频率公差较大（约±0.5% ），所以经常被用于频率较低且频率精度要求并不太高的 1 White paper 应用领域。 它的温度特性随陶瓷烧结材料的成份组合而变，因此能够灵活应对。相反，材料组合成份的微小误差或生产工 艺中的差异将导致产品特性不均，由此被认为极难保证产品均一性。 陶瓷谐振单元的特征中尤为突出的是上升时间快。虽然上升时间将受振荡电路中的元器件的影响，但一般情况 下，当频率越高、负载电容越小且谐振单元的 Q 值越低时，起振速度越快。如表 1 所示，陶瓷谐振单元的 Q 值与石英和硅相比较低，因此它在上升时间方面相对有利。基于上述因素，陶瓷谐振器多用于不太注重精度， 但要求上升时间快的应用领域。 【1-3】硅谐振单元 硅谐振器使用单晶硅，这种材料的 Q 值比陶瓷的要好，但比水晶的要差。在制造过程