物理工学科巾3年次35.pptVIP

物理システム工学科３年次物性工学概論第5回光る半導体　 佐藤勝昭 受講者の声 宿題の問題中の式ではD=ε0P+Eとなっており、プリントではD=ε0E+Pとなっていた。どちらでもいいのですか？（O)→ごめんなさい。宿題の問題を入力するときのミスです。 D=ε0E+Pが正しいのです。 半導体の導電率が温度とともに（指数関数的に）変化するメカニズムを知りたいと思いました。実験ではホール係数のみであったので。（K)→ホール係数はRH=1/neです。これよりキャリア密度nの変化が出ますね。?=ne?を通通じて導電率が変化するのです。 受講者の声 カラーのプリントはわかりやすくてうれしい。(N,A)　半導体のギャップと透過光の関係の図が鮮やかでキレイだった。（N)　プリントがあってうれしい。（S)　メールのお知らせはありがたい。（M) 今やっている実験とかなりかぶっていたので助かりました。バンドギャップがどういうものかという説明が図などを使ってわかりやすかった。（M)　実験で同様の内容をやったので理解に役立ちそう(T) 実験レポートのため１週間早くやって欲しかった(A)→実験と対応させるのは、学習が身に付きますね。 受講者の声 バンドギャップの話をもっと詳しく聞きたい。（T)バンドギャップは習ってないのでじっくりお願いします。（Y)バンドギャップについてよくわからないのでもう一度説明して欲