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- 2019-01-18 发布于福建
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第肆章场效接面电晶奖体76
第肆章場效接面電晶體;場效電晶體的偏壓操作;場效電晶體的基本介紹;場效電晶體的基本介紹(續);場效電晶體的基本介紹(續);不同偏壓條件下的場效電晶體
空乏區寬度與輸出性質變化;VG=0;不同偏壓條件下的場效電晶體
空乏區寬度與輸出性質變化(續);不同偏壓條件下的場效電晶體
空乏區寬度與輸出性質變化(續);JFET電流電壓特性;JFET電流電壓特性(續);JFET電流電壓特性(續);JFET電流電壓特性(續);JFET電流電壓範例(疊代法);JFET電流電壓範例(疊代法)(續);JFET電流電壓特性(續);當JFET(以n通道為例)的閘極輸入信號為一負相脈波(如下圖),輸出端會得到與輸入端反向的脈波,因此如果把JFET操作電壓在0與-VP的脈波,將得可以把JFET應用成數位式脈波開關,當輸入電壓大於VP時,輸出端電壓由於JFET通道電阻與分壓原理,會得到一
個接近零電位的電壓(∵RD?rDS)。當輸入電壓是VP時,通道被截斷,所以沒有電流流通
,因此輸出接近於VD。;JFET操作偏壓點;JFET的偏壓操作;JFET的偏壓操作;金氧半場效電晶體(MOS)的類型;金氧半場效電晶體(MOS)的類型(續);金氧半場效電晶體(MOS)的原理;金氧半場效電晶體(MOS)的原理(續);MOS的截止電壓;Depletion MOS的電流電壓特性;Enhancement MOS的電流電壓特性;nMOS
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