第十章微电稳子工艺实验.pptVIP

第十章　微电子工艺实验 实验内容 热氧化生长二氧化硅：主要内容包括热氧化工艺，二氧化硅膜的腐蚀，二氧化硅膜厚度测量等。 热扩散对硅片进行掺杂：主要内容包括热扩散工艺，二氧化硅膜的腐蚀，方块电阻的测量等。 在硅片上蒸发铝图形：主要内容包括光刻工艺，蒸发工艺，剥离法(lift-off)图形化工艺等。 简单MOS器件的制备：主要内容包括光刻工艺，蒸发工艺，剥离工艺，扩散工艺等。 工艺复习 热氧化工艺 蒸发工艺 热扩散工艺 光刻工艺 10.1 热氧化工艺 内容：热生长二氧化硅薄膜的生长原理、制备技术和特性测量。 要求：了解干氧、湿氧情况下热生长二氧化硅层的生长规律，掌握热生长二氧化硅层的制备工艺和膜层特性的测量方法。 热氧化工艺方法 干氧法：硅和分子氧反应生成SiO2 特点：氧化速度慢，但氧化层致密。 水汽氧化：硅和水汽反应生成SiO2 特点：氧化速度快，但氧化层疏松。 湿氧法：硅和氧分子及水汽反应生成SiO2 特点：氧化速度介于干氧和水汽氧化之间。 氧化层应用 自然氧化层（Native Oxide） 场氧化（Field Oxide） 栅氧化（Gate Oxide） 缓冲氧化（Pad Oxide） 屏蔽氧化层（Screen Oxide） 掩蔽氧化层（Masking Oxide） 阻挡氧化层（Barrier Oxide） 牺牲氧化（Scrificial Oxide） 迪尔－格罗夫模型 温度：氧化速率随温度升高而增大。 气氛：掺氯气氛增加氧化速率。 气压：氧化速率与氧化剂分压成正比。 硅衬底掺杂：一般情况下硅中的掺杂会增加氧化速率。 硅片晶向：硅原子密度大的晶面上氧化速率大，R(111)R(110)R(100)。 一块硅样品在1200℃下采用干氧氧化10分钟，再在1200 ℃采用湿氧氧化40分钟，再1200 ℃下干氧氧化30分钟，最终得到的氧化层有多厚？ 二氧化硅厚度测试方法 二氧化硅膜厚度测量方法主要包括：台阶法、干涉条纹法、椭偏光法等； 台阶法：先将氧化层刻蚀出台阶，然后利用探针绘制出台阶曲线； 干涉条纹法：利用氧化层和硅衬底对入射光的反射干涉现象测量氧化层厚度，不同厚度的氧化层的干涉光的颜色不一样； 椭偏光法：也是利用氧化层和硅衬底对入射偏振光的反射差别来测量氧化层厚度，不同厚度的氧化层对偏振光的改变不一样。 台阶仪测量膜厚 椭偏仪测量厚度 干涉条纹测量厚度 工作原理是：氧化层表面的反射光与硅片表面的反射光发生干涉现象； 测量方法：用HF酸刻蚀掉部分氧化层，形成坡状台阶，根据颜色的周期性变化，对照颜色表得到大致厚度。 颜色－厚度对照表 10.2 热扩散工艺 内容：半导体集成电路中硼扩散的机理、方法和特性测量。 要求：熟悉硼扩散工艺中予淀积和再分布的操作方法，掌握薄层电阻的测量方法。 扩散炉示意图 扩　散　源 固态源：含有杂质的固态片状物；氮化硼(BN)、五氧化二磷(P2O5)、三氧化二砷(As2O3)。通常将它们压成和硅片大小相似的片状。 液态源：硼酸三甲酯（B(CH3O)3）、溴化硼(BBr3)、三氯氧磷(POCl3) 、氯化砷(AsCl3)等； 气态源：乙硼烷(B2H6)、磷烷(PH3)和砷烷(AsH3)等。 对于每种扩散杂质都要自配一套扩散系统，不得混用，以防杂质互相污染。对于硅扩散，B是最常用的P型掺杂剂，P，As是最常用的N型掺杂剂。 液态源和气态源扩散流程 液态源和气态源和输运气体一起进入反应室； 杂质源在高温下分解，形成氧化物淀积在硅表面； 杂质氧化物与硅反应生成二氧化硅和杂质原子，经过硅片表面向内部扩散。 固态源扩散装置 固态源有：氮化硼(BN)、五氧化二磷(P2O5)、三氧化二砷(As2O3)。通常将它们压成和硅片大小相似的片状。 扩散过程： 以氧化物的形式淀积到硅片表面； 然后与硅反应生成二氧化硅和杂质原子，同时向硅内部扩散。 掺杂流程 四探针法测量薄层电阻 方块电阻 上图为结深为xj的正方形扩散层，由于半导体存在杂质分布梯度，所以扩散层的电阻率用平均电阻率来表示： 点电流源的电场分布 在硅片上预淀积杂质磷，杂质剂量为1011cm-2。然后在硅片上覆盖一层Si3N4，以防止任何扩散，然后在950 ℃下对圆片进行600分钟的再分布。只考虑轻掺杂，忽略所有重掺杂效应。a. 退火后表面磷的浓度是多少？b. 如果硅片是P型，本底硼（B）浓度为1014 cm-3，请问结深是多少？ 10.3 蒸　发 内容：真空蒸发制备图形化金属铝薄膜工艺。 要求：了解蒸发镀膜的原理，掌握蒸发镀膜的技术、铝层薄膜质量与工艺参数的关系。 蒸发台示意图 蒸发工艺步骤 打开电源； 升起真空罩，装片（Loading），将硅片和铝丝装入真空腔室； 粗抽至10-2 Torr之下（使用机械泵）； 切换成扩散泵进行细抽，至5×10-6 Tor