铜在磷酸溶液中的电化学抛光研究-表面技术.PDF

摇 第42卷摇 摇 第3 期摇 摇 2013 年6 月 表面技术 摇 摇 摇 Vol.42摇 No.3摇 Jun.2013 SURFACE TECHNOLOGY 摇摇摇摇 1 藡蕥蕥蕥蕥蕥蕥蕥蕥蕥藡蕥蕥 研究与探索 藡蕥蕥蕥蕥蕥蕥蕥蕥蕥 藡 铜在磷酸溶液中的电化学抛光研究 黎德育,夏国锋,郑振,王紫玉,田栋,王晨,翟文杰,李宁 (哈尔滨工业大学,哈尔滨 150001) 摇 摇 [摘摇 要]摇 通过阳极极化和电化学阻抗谱测试,研究了铜在磷酸溶液中进行电化学抛光的电化学行为。 研 究发现:随着磷酸浓度的增加,铜在0.2,0.4,0.6,0.8 V 四个电位下电化学抛光后的粗糙度都呈现先减小、后增 大的趋势,在磷酸质量分数为55%时达最低值;EIS 图谱拟合的R 值的变化反映了磷酸盐粘膜层电阻和铜表面s 氧化膜电阻的变化,此外,随着磷酸浓度的增加,EIS 中第一个容抗半圆的弛豫时间延长,铜的溶解反应速度加快。 [关键词]摇 铜;磷酸;电化学抛光;粗糙度;电化学阻抗谱 [中图分类号]TG175 摇 摇 摇 [文献标识码]A 摇 摇 摇 [文章编号]1001鄄3660(2013)03鄄0001鄄04 Research on the Copper Electrochemical Polishing in Phosphoric Acid LI De鄄yu,XIA Guo鄄feng,ZHENGZhen,WANGZi鄄yu,TIAN Dong,WANG Chen,ZHAI Wen鄄jie,LI Ning (Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China) [Abstract]摇 The eletrochemical properties of Cu eletrochemical polishinginphophoricacid solutionshasbeen studiedby anodic polarization and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) technique. The roughness of Cu firstly decreased,and then increased withtheconcentrationof H PO increasedat0.2 V,0.4 V,0.6Vand0.8V,andreachedtheminimumrough鄄 3 4 ness value when the H PO concentration was 55%. The R value at different potential,fitting results of EIS,suggested the 3 4 s change in the resistance of viscous phosphate and Cu oxide films. With the increase of phosphate concentration,the relaxation time of the first capacitive semicircle extended,and it mean the acceleration in the copper dissolution reaction. [Key words]摇 copper;phosphoric acid;electrochemical polishing;roughness;electrochemical impedance spectroscopy 摇 摇 铜在磷酸溶液中,表面会产生一种可溶且具有粘 流阻抗谱[14—16] ,研究铜在磷酸溶液中的电化学抛光过 性的磷酸盐膜层,该粘膜层能够起到很好的浓度极化 程