二极体的物的理性质及特性.pptVIP

2-1　自由電子與電洞 3. 矽（Si）與鍺（Ge）的原子結構 4.電子電洞對 (1)在絕對零度0K時，晶體的作用有如一絕緣 體。 (2)電子由價帶進入傳導帶所需的能量，鍺約 為0.7eV，矽約為1.1eV。 5.電子與電洞之移動 2-2　P型半導體與N型半導體 1.P型材料 (1)摻入雜質（三價元素）：硼（B）、鋁（Al）、 鎵（Ga）、銦（In）等。 (2)受體：雜質原子接受電子而促使電洞的活動。 (3)電性：中性。 (4)多數載子：電洞；少數載子：自由電子。 (5)公式： 自由負電荷濃度　與正電荷濃度　之乘積，在 熱平衡下，與摻入之雜質無關，而為一定值。 2.N型材料 (1)摻入雜質（五價元素）：磷（P）、砷 （As）、銻（Sb）等。 (2)施體：雜質原子含有多餘的自由電子， 意即能夠施予電子。 (3)電性：中性。 (4)多數載子：自由電子；少數載子：電洞。 (5)公式： 3.N型與P型之特性比較 2-3　P-N接面二極體 1.二極體之構造 (1)「＋」：電洞；「－」：電子； ⊕：施體離子；?：受體離子。 (2)離子固定於晶體格中，不可移動。 (3)施體離子→釋放出電子→帶正電 受體離子→吸收電子→帶負電 2.二極體之符號 (1)黑點或黑帶的標記通常指的是陰極。 (2)陽極－較高或正的電位；陰極－較低或負 的電位。 (3)體積愈大，愈能承受較大的散逸功率。 3.PN接面工作的情形 (1)未加偏壓的情形 ?接面兩端的電子與電洞雖互有擴散，但其作用相互抵消，| I |＝0。 ?空乏區域：沒有自由電子和電洞，有正、負離子。 ?障壁電壓：P區（負離子）與N區（正離子）所形成之電位，鍺約為0.2~0.3V，矽約為0.6~0.7V。 ?公式： 空乏區域中，正電荷總量必須等於負電荷總量。 (2)逆向偏壓的情形 ?逆向偏壓：P接負電壓，N接正電壓。 ?影響：空乏區寬度變寬，障壁電勢增加。 ?逆向飽和電流　：逆向偏壓所存在的電流。 (3)順向偏壓的情形 ?順向偏壓：P接正電壓，N接負電壓。 ?影響：空乏區寬度變窄，障壁電勢減少。 ?順向電流　：隨順向偏壓的增加而加大。 2-4　二極體的V-I特性曲線 (1)動作原理： 2.逆向偏壓及崩潰區 3.溫度效應 (1)障壁電壓 4.電容效應 (1)PN接合面的空乏區相當於電介質，P型區及N型區相當於兩個電極。 5.電阻效應 6.矽與鍺二極體之特性比較 2-5　理想二極體與簡化 二極體模型 2.定值電壓模型（含障壁電壓） 3.片斷線性模型（含障壁電壓及順向內阻） (1)在順向特性曲線上，利用直的線段來近似於二極體的特性曲線。 2-6　稽納二極體 1. 稽納二極體的符號與等效電路 (2)摻雜之濃度增加時，稽納電位將隨之降低。 (3)工作於逆向崩潰區，供穩壓用。 2.稽納二極體特性 3.稽納二極體的應用 (1)負載變動的電壓調整 ? ? (2)輸入電壓變動的輸出電壓調整 ? 2-7　發光二極體 1.LED之電路符號、偏壓安排及電發光過程 (1)在順偏的P-N接合面，在靠近接面處會發生電子與電洞的復合作用，使自由電子所具有的能量轉變成熱能或光子的形式放射出來。 (2)材料：磷砷化鎵（GaAsP）或磷化鎵（GaP）。 2.LED典型的特性曲線（一） (1)圖(a)中，LED有較大的　電壓（約為1.7~3.3V）。 (2)圖(b)中，LED的相對發光強度與順向電流成正比關係。 (3)圖(c)中，在某一特定頻率下脈波寬度愈寬時，容許的峰值電流愈低。 3.LED典型的特性曲線（二） (1)圖(d)中，顯示出LED的發光強度在0°（或正前方）時強度最大，在90°（從側面看）時強度最小。 (2)圖(e)中，為一典型紅色LED的光輸出與波長。 (3)圖(f)中，為紅外線的LED輸出，其波長以微毫米（nm）表示。 4.LED七段顯示器 (1)目前所使用的LED有紅光、綠光、黃光、橙色光以及白色光等多種。 (2)使用的材料決定發射光的光譜分布。 (3)LED具有快速的響應時間、低消耗功率、壽命長及耐震等特性。 5.LED的應用 (1)主要當作指示燈及數字顯示器。 (2)廣泛使用在儀器、消費性產品及科學儀器上（諸如廣告看板、交通號誌、車用頭尾燈、手機等）。 節目錄 1.理想二極體 節目錄 節目錄 節目錄 (3)定值電壓模型是考慮了障壁電壓，忽略了順向內阻。 節目錄 節目錄 節目錄 節目錄 節目錄 節目錄 節目錄 (1)特性 順向偏壓：與一般二極體相同。 (3)崩潰方式 節目錄 節目錄 節目錄 節目錄 ? ? ? 節目錄 節目錄 節目錄 節目錄 圖2-35　LED典型的特性曲線（續） 節目錄 節目錄 圖2-35　LED典型