微机系统与接口教学资料第五章.pptVIP

动态存储器内部结构。Intel 2118A 容量 16k*1 3. 动态存储器 的设计（由多个存储器芯片组成一个实际存储器,并与CPU连接） 例：用 8118——16K*1 的 DRAM 组成16K*8 的存储器。 RAS CAS A6~A0 DOUT DIN WE 定时控制 电路 刷新时序 发生器 刷新 计数器 多路 转换器 （1） 多路 转换器 （2） RAS CAS A6~A0 DOUT DIN WE RAS CAS A6~A0 DOUT DIN WE 。 。 。 。 …… . . . . . . . . 行地址 行地址 列地址 刷新地址 CAS RAS A6~A0 A13~A7 D7~D0 WR IO/M . 第五章 存储器 一、半导体存储器的分类及特点 二、随机存储器 RAM （一） 静态存储器 （二） 动态存储器 三、只读存储器 ROM 四、 IBM PC/XT 的存储器 半导体存储器的分类 存储器可以分为RAM(Ramdom Access Memory)和ROM(Read Only Memory)两大类, 而且它们各自又可以分为若干种, 并且,从广义的角度来看可编程逻辑电路是属于ROM的范畴.下面我们分别讨论它们. RAM (Random-Access Memory) 随机存储器，在运行状态可读可写 ROM (Read-Only Memory) 一旦信息写入，在机器上只读 1. RAM (随机存取存储器) RAM的特点: 可以读写, 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失. RAM按存储机理的不同可分为 静态SRAM(Static RAM)和 动态DRAM(Dynamic RAM), 基本存储电路——六管静态存储电路: 用于存储一个二进制位。 二、随机存储器 RAM （一） 静态存储器 T1管的截止保证了T2管得导通。 反之亦然。 负载管 控制管 1 0 0 1 删极 漏极 源极 当数据信号与地址信号都消失后，T5、T6、T7、 T8都截止，由T3、T4两负载管通过VCC不断向删极补充电荷，以保持信息‘0’、‘1’‘。 静态SRAM(Static RAM) (1) 存储体 ? 一个基本存储电路只能存储一个二进制位。 ? 将基本的存储电路有规则地组织起来，就是存储体。 ? 存储体又有不同的组织形式： 将各个字的同一位组织在一个芯片中，如：8118 16K*1（DRAM） 将各个字的 4位 组织在一个芯片中， 如：2114 1K*4 （SRAM） 将各个字的 8位 组织在一个芯片中， 如：6116 2K*8 （SRAM）。 (2) 外围电路 为了区别不同的存储单元，就给他们各起一个号——给于不同的地址，以地 址号来选择不同的存储单元。 ——于是电路中要有 地址译码器、I/O电路、片选控制端CS、输出缓冲器等外围电路。 2. 存储器（芯片）结构 故： 存储器（芯片） = 存储体 + 外围电路 3. 地址译码方式 直接译码方式——适用于小容量存储器中。 16字(字节) ? 4 位的存储器——64个基本存储单元， 排成 16行 ? 4列， 每行对应一个字 每列对应其中的一位。 (2) 双译码方式——地址译码器分成两个，可减少选择线的数目。 1024 * 1 的存储器——1024个基本存储单元，排成 32 * 32 的矩阵，需 10 根地址线寻址。 X 译码器输出32根选择线，分别选择1-32 行， Y 译码器输出32根选择线，分别选择1-32 列控制各列的位线控制门. RAM的基本结构:256*4 RAM的基本应用 (3) 一个实际的静态RAM的例子——Intel 2114 存储器芯片 1024 * 4 的存储器——4096 个基本存储单元，排成 64 * 64 的矩阵，需 10 根地址线寻址。 X 译码器输出 64 根选择线，分别选择 1-64 行， Y 译码器输出 16 根选