利用原子力显微术在聚甲基丙烯酸甲酯薄膜上制作微-清华大学材料系.PDF

利用原子力顯微術在聚甲基丙烯酸甲酯薄膜上製作微影圖案 林俊羽 林鶴南 清華大學材料科學與工程學系 NSC 92-2120-E-007-005- 0500259 原子力顯微術(AFM)探針的尖端直徑約20~30 nm ，施加一偏壓於探針與半導體基版間，可產生大電場以及穿隧 電流。藉由穿隧電子通過電子阻劑並打斷阻劑高分子鍵，使長鏈分子分解 ，可在阻劑上製作奈米圖案。顯影劑 的沖洗將短鏈的阻劑分子除去後，留下的阻劑可做為後續製程的遮罩。本實驗使用接觸式掃描製作微影圖案。 選用的電子阻劑為分子量950k 的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) ，旋鍍在n 型半導體矽基板上。旋鍍厚度為 12 nm 與35 nm 。顯影劑為MIBK ：IPA 比例1 ：5 的稀釋液。利用探針施加10～30 V 等五種不同的電壓，以 10 μm/s 的掃描速率來比較顯影圖案的深度及線寬與電壓的關係。實驗達到的線寬為80 nm ，165 nm ，537 nm ，786 nm 。 關鍵字：掃描探針顯微術、奈米加工、微影技術、電子阻劑 1. 前言 用負型阻劑將圖案轉移到矽基板，蝕刻出32 nm 線寬 在半導體產業中，微影技術一直是主宰IC 製程的 的圖案[2] 。而由於PMMA 抗乾式蝕刻能力差，對於 核心。降低微影技術的成本，對於半導體產業的競爭 需要鍍成薄膜的SPL 製程，比較適合作為lift off 的遮 力將有革命性的提升。近年來相當熱門的超大型積體 罩。目前已有文獻使用PMMA 成功的將鉻lift off 並製 電路對於小線寬的微影技術相當要求，傳統的光學微 作出26nm 的線寬。 影系統已經不敷使用。 本實驗使用目前商用的原子力顯微術機台 目前光學微影技術可謂百家爭鳴，其中電子束微 (Dimension 3100, Digital Instrument, USA) ，在探針上施 影技術具有高解析度，且在20kV~50kV 的加速電壓 加電場做為電子源。在不使用金屬作為下電極以及不 下，其電子束波長小於 1 Å ，可以不需考慮繞射極限 使用鍍金探針的條件下，期望在矽基板上製作次微米 的問題，目前已可達到30 nm 以下線寬的製作，可說 尺度的線寬。已可蝕刻出537 nm 的線寬，未來可望朝 是極具潛力的技術之一。但高能量電子束引起的近接 100 nm 以下線寬而努力。 效應，以及電子束對下層基板的破壞是電子束微影技 術的缺點。 2. 實驗步驟 在1992 年發展出一種使用掃描探針顯微術將圖案 2.1 PMMA 電子阻劑的製備 製作在 PMMA 上的微影技術[1] ，可在商用的電子阻 PMMA 的單體為異丁烯酸甲酯，當受到電子束打 劑上寫出與電子束微影同等級的線寬，稱之為掃描探 擊時，羰基與碳基間產生均勻斷鍵，羰基與碳基各獲 針微影(scanning probe lithography)技術。此技術由於使 得一個自由電子，使得長鏈分子斷成較短鏈的分子。 用低能量的電子，曝光的敏感性降低，可更精確的控 較短鏈的分子在有機溶劑中的溶解性較好，而能夠被 制線寬[2] 。而在設備費用上較電子束微影系統要低廉 顯影劑選擇性的吃掉。PMMA 為一常用的正型電子阻 許多，成為頗具發展潛力的微影技術之一。 劑，其解析度高，但靈敏性低且抗乾式蝕刻能力差。 在眾多的掃瞄探針微影技術中，將圖案寫在電子 本實驗使用市售分子量 950K 的 PMMA ，以氯苯 阻劑上的技術具有應用潛力。包括使用負型阻劑轉移 作為溶劑。使用兩種不同濃度的PMMA 旋鍍兩種厚度 圖案到底層的金屬，再蝕刻金屬成為導線[3] ；以及使 的薄膜。將濃度0.4 %wt(重量百分比)的PMMA 溶液， 以4000 rpm 轉速旋鍍在n-type 矽基版上，以AFM 測 膜厚，可得 12nm 厚度。以濃度 1.2 %wt ，5000 rpm 轉 速所旋鍍的膜厚為 35nm 。矽基