第七章半导体存储器.ppt

* 大量二进制数据不能用D触发器存储 * * 存放数据的电路部分，理解为排成行列结构，N行M列，每行一个字，每个字M位。 * 为什么要加地址译码器？因字数太多，如不加译码器，需要的地址线会很多。 * 缓冲器带负载能力强，还可以做成三态输出形式。 * 四条字线W0，W1，W2，W3，四条位线D3，D2，D1，D0。 四个地址00，01，10，11。 存储数据表 * 存储矩阵是有M个或门构成。例D0=W0+W1+W3； * * 可以理解为三维排列结构 * DRAM容量大，地址线数量多，为解决此问题，采用行列地址复用技术 7.2.4 快闪存储器 　采用与EPROM中的叠栅MOS管相似的结构，同时保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。理论上属于ROM型存储器；功能上相当于RAM。 擦除和改写电压较EEPROM小，且擦除时间短。集成度高、容量大、成本高、使用方便，应用广泛。 ROM的应用 1）用于存储固定的专用程序 2）利用ROM可实现查表等功能 查表功能 － 如查某个角度的三角函数 先把变量值作为地址码，其对应的函数值作为存放在该地址内的数据存储在 ROM 内，这称为 “造表”。使用时，根据输入的地址(角度)，就可在输出端得到所需的函数值，这就称为“查表”。 3) 用存储器实现组合逻辑 原理： 观察数据表，可发现此表与真值表相似。 地址相当于输 入，数据相当于输出； 且表中列出了输入变量的所有组合方式。 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 因此，将组合电路的输入接存储器的地址端，输出接 数据端，并将真值表作数据表写入存储器中即可。 A1 A0 D3 D2 D1 D0 输入 输出 例1：试用ROM设计一个八段字符显示译码器（带小数点）， 其真值表如下。 输入 输出 字形 DCBA abcdefgh 00000 00011 00102 00113 01004 … … … 1100c 1101d 1110e 1111f 解：电路要求4位输入，8位输出，故选用4位地址线，8位(或8位以上)数据线的ROM。 ①用掩模ROM实现 画出存储矩阵的连接图（有二极管表示0） A3 A2 A1 A0 W0W1 … W15 4-16线译码器 1 EN 1 EN EN … D0 (a) D7 (h) D C B A 例2：试用ROM产生如下的一组多输出逻辑函数。 解： 电路要求4位输入，4位输出，故选用4位地址线，4位(或4位以上)数据线的ROM。 为得真值表，先将逻辑式化为最小项之和的形式 ②用EPROM实现 输入地址码，将数据写入 真值表 ABCD Y1Y2Y3Y4 0000 0000 0001 0000 0010 1001 0011 1000 0100 0010 0101 0000 0110 1100 0111 1100 1000 0000 1001 0000 1010 0100 1011 0000 1100 0000 1101 0000 1110 0110 1111 0001 A B C D D3 (Y4) D0 (Y1) ①用掩模ROM实现 画出存储矩阵的连接图（有二极管表示1） A3 A2 A1 A0 W0W1 … W15 4-16线译码器 1 EN 1 EN EN … … ②用EPROM实现 7-3 随机存取存储器 RAM的分类 SRAM （静态随机存取存储器） DRAM （动态随机存取存储器） 　　随机存取存储器又叫随机读/写存储器，简称RAM，指的是可以从任意选定的单元读出数据，或将数据写入任意选定的存储单元。 　　优点：快速读写，使用灵活。 　　缺点：掉电丢失信息。?　 利用基本RS触发器存储信息 利用MOS的栅极电容来存储信息。由于电容的容量很小，以及漏电流的存在，为了保持信息，必须定时给电容充电，通常称为刷新。 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 1. RAM的结构和工作原理 RAM