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天津大学IC设计中心 Lec9 CMOS图像传感器 CMOS图像传感器像素设计 9.1 光生电流积分 9.2 CMOS有源像素 9.3 光谱响应与增益控制 9.4 CMOS图像传感器系统架构 9.4.1 列级处理架构 9.4.2 芯片级处理架构 9.5 CMOS图像传感器摄像系统 9.1光子流积分模式 光电二极管工作在电荷积分模式下：1967年Gene Weckler提出。 在二极管复位完成后，输出电压是积分时间的函数。 在光照下存在光电流： 光子流积分模式 对于n+p二极管，电容为： A是二极管面积，NA是衬底受主浓度。 可以得到： 可以得到： 输出电压表达式包含二极管面积A，与光电流中面积A相抵消。 Io为入射光子流。 结论：在一定光子流条件下，收集到的电压与二极管的面积无关。（是否成立？） 设定： Iphoto=1pA，则有如下的曲线： 填充因子 像素光敏面积占总面积的比例：电容包括像素表面和其它的电容；存在其它电荷来源； 电容同时包括底面电容和侧面电容。 实际情况 C由二极管本身底面和侧壁电容、与光敏节点连接的其它与像素面积无关的固定电容。 1、侧面电容的影响：对于0.5μm工艺，零偏条件下： 30μm2像素，侧面电容占总电容的比值为0.08；但对于7μm2像素，该比值变为0.3。像素面积缩小到0.05倍，但总电容只缩小到0.07。 光敏面积减小，像素输出电压减小，7μm2像素输出电压只有30μm2像素的0.7。 输出电压随着光敏面积A的减小而下降。 2、同时要考虑与二极管相连的其它节点的电容（列总线或像素内的电压缓冲） 存在一个与像素面积无关的固定电容 3、像素上存在电荷来源，与像素的面积是非线性的：来自于底面和侧面的暗电流，复位噪声： 随着A下降，信噪比下降。 大光敏面积可以有大的阱电容，可以提供大动态范围。 9.2 CMOS有源像素 10.2.1三管有源像素： 早期CMOS图像传感器广泛采用； 面积小，可提供较高分辨率 像素内没有存储节点，只能采用滚筒式曝光 3T像素可以消除最主要的固定模式噪声，但不能消除kTC噪声。 CMOS 三管有源像素 三管有源像素势垒图 Reset会有固定的偏移（FPN）和随机的波动（kTC） 像素结构与工作时序 三管像素结构 工作时序 源级跟随器 对电路进行大信号分析，因此对于缓冲放大管有： K= ，VTM 为缓冲放大管的阈值电压 可得： 曝光之后输出电压为： 首先对光电二极管复位（RST=1, SEL=1），像素输出电压为Vout为： 接着复位管断开（RST=0, SEL=0），光电二极管感光，曝光结束后，SEL=1，输出Vout值为： 其中Vphoto为光照引起电压变化 双采样技术 三管像素中复位管和缓冲放大管的阈值电压VT随像素的空间分布不同会有一些波动，在相同光强下像素响应输出不同，导致图像中产生FPN。 可通过双采样技术消除FPN。双采样技术的原理是首先采样积分后的图像信号，然后采样复位信号，采用读出开关电容放大器将两次采样信号作差，消除由复位管以及缓冲放大管的阈值电压失配引起的FPN。最终得到的信号电压值为： 但三管像素内没有存储节点，不能存储复位电压。只能用本次采样信号和下次复位电压做差，两个信号不具备相关性，因此双采样只能消除FPN，不能消除与时间相关的随机噪声。 9.2.2四管PPD像素结构 像素结构 势垒图 工作时序 t1时刻行选信号SEL信号置高，选通待读出的一行像素；同时复位信号RST置高，此时像素的储存节点将包含本像素复位噪声的电平VFD储存在节点电容上。 t2时刻复位信号RST置低，储存节点完全与像素电源VDD和光电二极管实现隔离，此时控制列读出的时钟信号SH1置高，将VFD经放大缓冲管MRD进行读出处理，最终得到包含像素本次复位引入的随机噪声的输出电平，并将信号存储在电容上，定义该信号为VRST。此时由于传输门MTX处于关断状态，光电二极管电荷收集不受复位操作影响。 在t3时刻，信号TX置高，将传输门MTX打开，此时传输门的势垒降低至Pinned光电二极管的势阱底以下，此时在PD处聚集的光生电荷就在势场的作用下从PD区向FD区进行转移，光生电荷的完全转移，不受传输管势垒噪声的影响。由于收集的是光生电子，因此VFD下降。此储存节点信号值经放大缓冲管MRD传输到像素的输出节点上。 t4时刻，控制列读出电路的时钟信号SH2置高，将此时像素输出信号采集VSIG，该信号与复位时输出信号VRST含有复位噪声来源于同一复位过程，因此它们的随机噪声相同。通过后续的相关双采样电路，可以