钒氧化物系列微纳材料作为二次电池正极材料的制备及电化学性能分析材料物理与化学专业论文.docxVIP

摘，要摘 摘，要 摘 要 钒氧化物及钒酸盐类系列材料多种可变的价态，以及开放的层状结构，易于无 机、有机小分子的嵌入，使其在传感器、光敏材料、超导材料、催化剂、二次 电池等领域有着非常广泛的用途，从而一直是人们研究的热点。但是该系列材 料普遍具有利用率低、锂离子扩散慢、电导率低等缺陷。与常规块体材料相比， 纳米材料由于具有反应活性高、电荷传输路径短等特点，在电极材料的应用中 具有很大的优势。在众多的纳米材料合成方法之中，水热法／溶剂合成出来的材 料一般具有结晶好、团聚少、纯度高、粒度分布窄的特点，从而广泛应用于纳 米材料的制备。本文主要通过水热、溶剂热法合成了一系列钒氧化物及钒酸盐 类的纳米材料。并对所合成的一系列纳米材料进行物相、形貌、光谱、能谱等 表征，考察了其作为锂、镁二次电池正极材料的电化学性能，主要内容有以下 两部分： (1)通过水热法制备了花状NH4V40lo微纳米结构。采用XRD，SEM， TEM，XPS等测试手段对样品结构、形貌和组成进行了表征。实验结果表明， 所制得的NH4V40lo花状结构是由直径约100 nm，长度为几微米的纳米带团簇 形成。研究了反应体系中温度、时间等因素对NH4V4010产物形貌的影响。将 制备的NH4v4010组装成锂模拟扣式电池，考察了其电化学嵌锂性能。研究结 果显示，所制备的花状NH4V40lo具有较高的比容量(307 mAh·g-1)，有望作 为锂离子电池的新型正极材料。 (2)通过水热、溶剂热法分别合成了V205纳米片、V02纳米线、V409微 米花结构。采用XRD、SEM对所得产物的晶体结构及微观形貌进行表征。对 所制备的材料组装成镁模拟扣式电池(采用Mg(A1C12BuEt)2／THF电解液体系) 进行电化学测试。测试结果表明，V205纳米片材料组装的电池的开路电压约为 1．7 v，电池材料的电荷传递电阻(1k)值约1．1 Ida，5 mA·g-1电流密度下首次 放电比容量约为105 mAh·g-1。V02纳米线组装的电池的开路电压约为1．6 V， 电池材料的lb值约1．5 kQ，5 mA·g-1电流密度下的首次放电比容量约为160 mAh·g-l，并且电化学储镁反应具有可逆性。V409微米花组装的电池的开路电 压约为1．1 V，5 mA·g-1电流密度下的首次放电比容量约为105．2 mAh·g-1。 关键词：锂二次电池，镁二次电池，钒氧化物，纳米材料，正极 AbstractAbstract Abstract Abstract Most of the vailadium oxides and their deriVatives have the open layered struCture， maldng them typical intercalation compounds．With their redox—activity,t11ey have potential applications in sensor,light—sensitive materials，superconductor，catalyst and energy storage devices such as cathode materials of secondary batteries and super capacitors．However,as electrode materials，they generally suffer from problems such as low utilization efficiency，slow lithium ion diffusion and low electrical conductivity．Nanomaterials have attracted considerable attention in battery application due to meir novel and useful physical／chemical properties， including high reactivity and short ionic diffusion l唧．In recent years，the synthesis of nanostructures has been researched intensively．Among V撕ous kinds of synthesis methods，hydrothemaaF solvothermal treatment is a simple route which results in product with 900d erystallinity,high purity,less agg