氧化对热障涂层微观力学性能和界面微结构的影响材料物理与化学专业论文.docxVIP

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氧化对热障涂层微观力学性能和界面微结构的影响材料物理与化学专业论文

摘要摘要 摘要 摘要 采用低压/大气等离子喷涂(LPPS/APS)、电子束物理气相沉积(EB.PVD) 和多弧离子镀(AIP)方法在镍基单晶高温合金表面制备了NiCrAIY、NiCoCrAIY、 NiCrAIYSiB三种MCrAIY涂层和8wt.%氧化钇部分稳定氧化锆(8YSZ) +NiCrAlY、8YSZ+NiCoCrAlY、20wt.%氧化镁稳定氧化锆(20MSZ)+NiCrAIY 三种热障涂层(Thermal Barrier Coatings,TBCs)。借助纳米压痕测试技术,研究 了涂层微观力学性能随氧化温度变化规律。以透射电子显微术(TEM)为主要 研究方法,结合X一射线衍射(XRD)、扫描电子显微术(SEM)和电子能量散 射谱(EDS)等分析手段,研究了1100℃氧化过程中涂层界面微结构演化规律 及其涂层失效机制。 在NiCrAlY涂层中加入Co元素,可提高沉积态涂层的硬度并降低其弹性 模量,在氧化初期,可同时提高涂层的弹性模量和硬度及其稳定性;加入Si和 B元素,可降低沉积态涂层的弹性模量和硬度,但在氧化过程中可稳定涂层的 弹性模量和提高涂层的硬度。在沉积状态,因为物相组成、涂层密度和稳定性 的不同,20MSZ热障涂层的平均弹性模量和平均硬度都比APS 8YSZ热障涂层 的值小;由于存在择优取向织构和多孔隙,沉积态EB.PVD 8YSZ涂层的弹性 模量和硬度都比APS 8YSZ的值小,但是随着在氧化初期被烧结,其弹性模量 和硬度都得到了提高,比APS 8YSZ涂层的值大。 由于涂层与基体间存在元素互扩散和选择性内氧化,导致NiCrAIY涂层经 过l 100℃恒温氧化后,涂层与基体之间首先生成了两层主要由Cr203和a.A1203 组成的致密热生长氧化物(TGO),Cr203层靠近涂层分布,a.A1203层靠近基 体分布。随着氧化时间延长,因为7-Ni3AI的分解,基体内靠近界面区域析出 了1,.Al。随着内氮化和内氧化的持续,基体内靠近界面区域进一步生成hcp.A1N 和fee—TiN,期间由于竞争关系,hcp—AIN发生置换反应生成0【一A1203。随着恒 温氧化的继续,TGO层不断增厚且成分中增加了Ni(AI,Cr)204、NiO和Y3A15012, 最终,巨大的热应力集中使涂层在历经1000小时氧化后沿着界面剥离而失效。 1 100℃恒温氧化初期,APS 8YSZ+LPPS NiCrAIY热障涂层的陶瓷层与粘结 层、粘结层与基体之间先后生长了分层的TGO膜,对于前者而言,粘附陶瓷层 的TGO薄层由0【一A1203、Cr203、NiO和Ni(AI,Cr)204混合组成,靠近粘结层的 TGO薄层主要由致密的cL.A1203和/或Cr203组成;对于后者而言,紧挨粘结层 的TGO薄层由0【一Ai203、Cr203和Yi(AI,Cr)204混合组成,而贴近基体的TGO 薄层主要由致密的0【.A1203和/或Cr203组成。因为基体的强化相丫’分解,而氧 分压过低不能氧化分解产物[A1]和[Ti】,使得Y—Al和p.Ti在基体内靠近界面区 万方数据 摘 摘 要 域析出。随着氧化时间延长,粘结层中的富铝相A12Y和[3-NiAI逐渐消失,涂 层逐渐退化,加上TGO层的不断增厚、孔隙率提高、成分复杂化以及陶瓷层的 相变等因素,导致界面区域产生热应力集中并进而产生微裂纹,由微裂纹的深 入扩展和连接,致使粘结层与基体间TGO产生大裂缝,导致热障涂层于3000 小时氧化后最终整体失效。 MCrAIY涂层和热障涂层的l 100℃恒温氧化动力学曲线都基本遵循抛物线 氧化规律。氧化初期MCrAlY涂层的平均抛物线氧化常数凰值约为 2.3x10。1192cm一4S~,热障涂层的‰约为1.8x10‘1192cm~s~;稳定氧化阶段MCrAlY 涂层的约为6.5x10。1292cm一4S~,热障涂层的平均凰值约为3.5x10—1292cm。4S一。涂 层的氧化过程遵循氧的吸附、传质和持续补给并使涂层系统发生选择性内氧化 的扩散控制机制。涂层的退化即亲氧性金属元素Al和Cr储量逐渐被消耗的过 程。而涂层的恒温氧化失效表现为TGO层逐渐生长进而导致界面裂纹的形成、 扩展和涂层剥离过程。 关键词:热障涂层微观纳米力学性能界面微结构演变失效机理 透射电 子显微术 万方数据 AbstractABSTRACT Abstract ABSTRACT Three kinds of MCrAIY coatings such as NiCrAI Y’NiCoCrAIY and NiCrAIYSiB,and three types of thermal barrier coatings(TBCs)such as 8 wt.% yttria partiall

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