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元器件成型通用工艺规范 元器件成型通用工艺规范 （第一版） 编制： 审核： 批准： 文件修订变更记录表 文件标题 元器件成型通用工艺规范 文件编号 文件 类别 修 订 变 更 情 况 记 录 修订变更内容 拟定部门 拟定人 修订日期 工艺文件 第一版 研发部 白浪 2013-07 文件审核 2013-07发布 2013-07执行 批准： 审核： 会签： 拟制：白 浪 目的 规范通孔安装元器件的成形工艺设计及成形加工工艺，规定元器件成形的相关参数，保障元器件的性能，进一步提高作业生产率、良品率，降低因成形而产生的损耗，降低产品成本，以 及提高产品可靠性。 适用范围 本规范适用于本公司的通孔安装元器件成形工艺设计，以及封装图形设计。 名词解释 元器件引线：从元器件延伸出的用于机械和/或电气连接的单根或绞合金属线，或成型导线。 元器件引脚：不损坏就难以成形的元器件引线。 通孔安装：利用元器件引线穿过支撑基板上孔与导体图形作电气连接和机械固定。 引线折弯：为使元器件便于在印制板上安装固定或消除应力，人为在元器件引线施加外力，使 之产生的永久形变。 封装保护距离：安装在镀通孔中的组件，从器件的本体、球状连接部分或引线焊接部分到器件 引线折弯处的距离，至少相当于一个引线的直径或厚度。 变向折弯：引线折弯后，引线的伸展方向改变了，通常是90°。 无变向折弯： 引线折弯后，引线的伸展方向没有发生改变。 抬高距离：安装于印制板上的元器件本体到板面的垂直距离。 规范内容 4.1 引线折弯 按照元器件的引线截面图形划分，通常有圆形（直径D）和矩形（厚度T）两种引线。阻容组件一般为圆柱形引线，而半导体元器件一般为四棱柱形引线。 4.1.1 变向折弯 图1描述了变向折弯的引线的特征参数。折弯内径R，折弯角度ω。 图1 4.1.2 无变向折弯 4.1.2.1 打Z折弯 图2描述了无变向折弯的引线的特征参数。折弯内径R，折弯角度ω，偏心距V。在本规范中叫做打Z成形。有2个折弯内径R及折弯角度ω。 图2 4.1.2.2 打K折弯 图3中，描述了一种特殊的折弯方式，即偏心距V＝0。通常是为了保障引线插装到装配孔后，元器件可以抬高以消除应力，或起支撑作用，或满足散热要求的一种折弯方式。这种折弯方式就是我们常说的“打K”或“Ω折弯”。K值的大小一般与引线的直径D和厚度T有关，在表1中给出了常见的K值。 图3 注意：引线打K时，通常要求凸起部分一般不能超出元器件的丝印最大外框（Placement层），同时要保障引线间距满足电气间隙的要求，对于实在无法满足的在试验验证没有问题后才可以超出元器件的丝印外框。 4.2 引线折弯的参数 4.2.1 封装保护距离d 安装在通孔中的组件，从器件的本体、球状连接部分或引线焊接部分到器件引线折弯处的距离d，至少d1mm（如图4a～c）。通常出于保护元器件的内部结构与方便机械加工。需要注意的是，元器件“本体、球状连接部分或引线焊接部分”一定要参考元器件供应商提供的几何尺寸的最大外形，包括涂层在内。同时，封装保护距离范围内的引线其延伸方向禁止被改变。 下图4a～c展示了3种典型元器件的封装保护距离的具体测量方式。 图4a 图4b 图4c 表1： 引线的直径D 或者厚度T 封装保护距离最小值d 电阻 玻璃二极管，塑封二极管，陶瓷封装电阻、电容, 金属膜电容 电解电容 功率半导体器件封装类型 TO-220 及以下 TO-247及以上 D（T）≤0.8mm 1.0mm 1.5mm 2.0mm 3.0mm 3.0mm 0.8mm＜D（T）＜1.2mm 2.0mm 2.0mm 3.0mm / / 1.2mm≤D（T） 3.0mm 3.0mm / / / 4..2.2 折弯内径R 根据引线直径D（圆柱形引线）和厚度T（四棱柱形引线）的不同，元器件引线内侧的折弯半径R 的值参考下表2。 表2： 引线的直径D或者厚度T 引线内侧的折弯半径R（优选值） D（T）＜0.8mm 不小于D或者T（优选值1.0mm） 0.8mm≤D（T）＜1.2mm 不小于1.5×直径D或者厚度T（优选值1.5mm，2.0mm） 1.2mm≤D（T） 不小于2.0×直径D或者厚度T（优选值2.5mm，3.0mm） 4.2.3 折弯角度ω