高离化态钨和氙离子双电子复合过程的理论分析.pdfVIP

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  • 2019-01-22 发布于安徽
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高离化态钨和氙离子双电子复合过程的理论分析.pdf

目 录 摘 要 I Abstract II 第一章 绪 论1 1.1 引 言 1 1.2 高电荷态离子物理简介 1 1.3 双电子复合过程的物理图像2 1.4 双电子复合过程的研究现状3 1.5 电子与离子碰撞的基本过程3 1.6 本文的研究背景6 1.7 本文的研究内容6 参考文献:8 第二章 理论方法10 2.1 相对论组态相互作用方法 10 2.2 FAC 程序包的简介 13 2.3 自电离和辐射跃迁几率 14 2.4 双电子复合速率系数和截面 15 参考文献 18 第三章 类硒W40+离子的DR 过程19 3.1 引言 19 3.2 DR 速率系数随 l ′的变化21 3.3 内壳层电子激发的DR 速率系数 22 3.4 自由电子俘获到不同壳层的贡献23 3.5 △n=0,△n=1 和△n=2 三类不同芯激发的 DR 速率系数 26 3.6 DR 截面27 3.7 拟合速率系数27 3.8 DR 速率、RR 和 TBR 速率系数的比较28 参考文献 29 第四章 类钴Xe27+离子DR 速率系数的理论研究33 4.1 引 言 33 万方数据 4.2 不同壳层电子激发的 DR 速率系数34 4.3 △n=0 、△n=1 和△n=2 三类不同芯激发的 DR 速率系数 35 4.4 总 DR 速率系数 35 4.5 DR 、RR 和 TBR 速率系数的比较 36 参考文献: 38 第五章 总结与展望39 5.1 总 结 39 5.2 展 望 39 附录I: 硕士学位期间发表论文情况41 致 谢42 万方数据 摘 要 双电子复合(DR)过程是电子和离子碰撞过程中最基本的物理过程之一,对离子 体的电离平衡的建立和维持以及对等离子体布居都起着主导作用,DR速率系数是研 究稀薄等离子体粒子丰度分布必需的物理参数,对模拟磁约束等离子体有参考价值; 而且双电子伴线是等离子体温度诊断的重要手段。高精度的DR强度、速率系数以及 截面是研究各种天体等离子体以及实验室等离子体和X射线激光的重要参数。 本文利用基于相对论组态相互作用方法的FAC 程序包,对类硒 W40+离子和类钴 Xe27+离子的双电子复合过程进行了研究。论文详细讨论了价、内壳层电子激发形成 的自电离激发态对DR 速率系数的贡献,并对结果进行了拟合。 对类硒 W40+离子的研究结果表明:在电子温度小于 800 eV ,4p 电子激发对DR

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