四元Heusler合金CoFeTiSb的空位和反位缺陷效应.PDF

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/ · · 四元 Heusler合金 CoFeTiSb的空位和反位缺陷效应 周庭艳等 105 四元Heusler合金CoFeTiSb的空位和反位缺陷效应* , 1 1 1 2 1 1 3 , , , , , 周庭艳 黄海深 吴 波 杨秀德 李 平 冯 雨       ( , ; , ; 1 遵义师范学院物理与机电工程学院 遵义 5630022 西北工业大学航海学院 西安 710072     , ) 3 西南大学物理科学与技术学院 重庆 400715   。 摘要 采用密度泛函理论研究了空位和反位缺陷效应对四元 Heusler合金 CoFeTiSb电子结构的影响 结果    , 、 , , 表明 Vd Vd 空位缺陷和Ti 反位缺陷具有负的形成能 能保持85%以上的自旋极化率 在CoFeTiSb合金工业制 Co Fe Sb ; 、 , 备过程中自发形成几率较大 Vd Vd 空位缺陷和Fe 反位缺陷虽然费米面处自旋极化率为 100% 仍保持半金属 Ti Sb Co , 。 , 、 、 、 、 性 但正的形成能表明在制备过程中它们出现的几率较小 此外 Sb Sb Sb Co Fe 反位缺陷由于具有较大 Co Fe Ti Ti Ti , 。 的形成能和半金属性破坏 自旋极化率不同程度降低 关键词 Heusler合金 空位缺陷 反位缺陷        中图分类号: ; 文献标识码: : / O469 O482 A DOI 10.11896 .issn.1005 023X.2016.16.023       j - EffectofVacanc andAntisiteDefectsin uaternar

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