反应磁控溅射Cu-Al-O薄膜的结构和光电学性质研究.PDF

2014年 12月 三 明 学 院 学 报 Dec.2014 第31卷 第6期 JOURNAL OF SANMING UNIVERSITY Vol.31 No.6 凿燥蚤院员园援员源园怨愿辕躁援糟灶猿缘原员圆愿愿辕 扎援圆园员源援园6援园12 反应磁控溅射Cu-Al-O薄膜的结构和 光电学性质研究 肖荣辉袁邓晶晶袁余碧霞 渊三明学院 机电工程学院袁福建 三明 365004冤 摘要院反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜袁并对薄膜进行退火处理袁研究溅射功率和退火温度 对薄膜结构和光电学性质的影响遥 用X射线衍射仪尧分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征袁采用拟合正入射透 射谱数据计算薄膜的厚度遥 结果表明院不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态袁透射率在近红外部分达到60%以 上袁电阻率随溅射功率的增加呈U型变化袁在 120W 附近袁电阻率达到极小值曰退火后袁薄膜的XRD谱出现 CuO尧 4 3 CuO和AlO 的混合相袁薄膜透射率有所提高袁电阻率随退火温度的提高而先增大后减小遥 2 3 关键词院Cu-Al-O薄膜曰溅射功率曰退火温度曰光学性质曰电学性质曰 中图分类号院O484.4 文献标志码院A 文章编号院1673-4343渊2014冤06-0062-04 Study on the Structural, Optical and Electrical Properties of Cu-Al-O Thin Films Deposited by Reactive Magnetron Sputtering XIAO Rong-hui, DENG Jing-jing, YU Bi-xia (Schoolof Mechanical and Electric Engineering袁Sanming University袁Sanming365004袁China) Abstract: Cu-Al-Ofilmsweredepositedbyreactivemagnetronsputteringonglasssubstrates袁andannealedinatmo- sphere.Influenceofsputteringpowerandannealingtemperatureonstructureandphotoelectricpropertiesofthefilmswere investigated.X-raydiffractometerandspectrophotometerwasusedtocharacterizetheproperties袁thicknessofthefilmiscal- culated byfitting the normal incidence transmission spectrum data. The results show that as-prepared films with different sputteringpowerare amorphous袁thetransmittanceofthefilmsnearinfraredpartreachesabove 60% 袁the resistivityare U typechangewiththeincreaseofsputteringpower袁andreachesaminimumvalueat120W.ThemixedphaseofCuO 袁CuO