2019年湿设备培训-显影刻蚀剥膜设备.pdfVIP

显影、刻蚀和剥膜设备 工艺设备部 学习资料 2009年10月10日发布 P- 1 主要内容 一、显影  显影的基本知识及原理  显影设备  显影过程中易出现的问题 二、刻蚀  刻蚀的基本原理  刻蚀设备  刻蚀过程中注意事项  刻蚀过程中容易出现的问题 三、剥膜  剥膜的基本知识  剥膜设备  剥膜过程中容易出现的问题 P-2 一、显影  显影的基本知识及原理  显影设备  显影过程中易出现的问题 P-3 显影的基本知识 显影：使用显影液处理玻璃表面，将未经过光照的光刻 胶层或者感光性电极浆料除去（因为使用的是负性胶）， 保留住光照过的部分，用化学方法使UV 光未照射部分 的光刻胶或感光性电极浆料溶于显影液中。 该工序主要用于ITO 电极、BUS 电极、ADD 电极的制备 过程中。 P-4 显影的基本知识 1、显影过程： （1）ITO 显影的PR胶成分：Binder Polymer ；Photo-initiator (PI) ；Cross-linkable monomer(交联单体) ；Additive ； Solvent等。 （2）BUS和ADD浆料的主要成分：Ag ；Glass Powder ； Resin ；Solvent ；Filler ；Additives ；Others 它们使用的是碱溶性感光树脂。 P-5 显影的基本知识 2、显影的基本工艺参数 显影液成分 Na CO 溶液 2 3 显影液浓度 0.3% Na CO (混合原液Na CO +DI使用) 2 3 2 3 显影喷嘴摆动幅度及 摆动宽度:喷嘴间隔宽度的1/2以上；频率Max:50Rmp 频率 Nozzle Spray Pressure ITO: Max 3bar ±0.15bar 以下；BUS ADD: Max 3bar 以下； 显影液温度 25~35 ℃ Process time ITO 显影以170s为基准；BUS和ADD 显影均以140s为基准 喷射方式 药液：向下Spray方式； Rinse ：向上、向下Spray方式。 Pass Line 1200 ±20mm IR Oven(BUSADD) 使用温度: 110℃±3℃(Base on Glass) Tact Time 100s P-6 显影的基本原理 3、显影时发生的化学反应：