半导体基局域表面等离激元材料合成及其性能研究材料科学与工程专业论文.docxVIP

论文作 论文作 指导教 论文评阅人1： 撕阿水(} 评阅人2： 报一益 活P出靠葶 评阅人3： 五乏』 益j名一盈L、卑 蓑心一 评阅人4： 评阅人5： 答辩委员会主席： 查兰垒=拯翌受 委员1： 委员2： 委员3： 委员4： 委员5： 答辩日期： 沙，厂．≥．，弓 万方数据 Research Research on fabrication and properties of semiconductor-based LSPR materials ⑧ Autho r’S signature： 一 Supervisor7S sJgnature： Exten试Reviewers：———』丝丝乒型叠孕—』圣L蚴矿．爿q?勺纨，胁弩———止竺∑—丝出逊烽如叼∥脚．夕矿7( Examining Committee Chairperson： Examining Committee Members： 伽帅9 kj一山％z．／纵 2j以 Date oforal defence： b／岁．弓．乃 万方数据 浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 浙江大学研究生学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他入己经发表或撰写过的研究成 果，也不包含为获得浙江大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同 工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示谢意。 学位论文作者签名： 马弱可 签字日期：沙，玉年之月／．夕日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解堂婆态堂有权保留并向国家有关部门或机构送交本论文的 复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权逝婆盘堂可以将学位论文的全部或部 分内容编入有关数据库进行检索和传播，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇 编学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名： 写i可 导师签 签字日期：砂’_i啤；月，罗日 签字吼刀砰弓月莎日 万方数据 摘要摘 摘要 摘 要 表面等离激元共振是在光的电磁场作用下金属表面自由电子的集体振动现 象，近年来引起了科学与技术领域广泛地关注。传统的表面等离激元材料如金、 银等存在的缺陷一定程度上限制了基于表面等离激元激元器件应用的发展。半导 体基局域表面等离激元材料具有特有的自身优势可以弥补传统表面等离激元材 料的缺陷。半导体材料中的掺杂机制和独特禁带结构，可以相对容易实现对LSPR 峰位调控，同时降低带间和带内损耗。因此，半导体基局域表面等离激元材料是 一种新型的具有巨大潜力的LSPR材料。 半导体基表面等离激元材料的成分、尺寸和形貌是影响局域表面等离激元共 振性能的主要因素，通过研究合成掺杂、尺寸和形貌可控的半导体纳米晶，实现 对LSPR性能的可控调节。本论文按照以上思路，合成了一些具有优异LSPR性 能的半导体纳米材料，本文的主要创新结果如下： (1)采用了热注入的方法合成了不同掺杂浓度的ITO纳米晶，掺杂浓度在 0-30％，LSPR峰位在1600～1993 rim范围内可控调节。通过种子生长法和改变修 饰剂的种类合成了尺寸在6．3～16．2 nnl可调纳米晶，可以调控LSPR峰位在 1600～1978 nrfl移动，且随着ITO纳米晶尺寸的增大峰位逐渐红移。采用一锅法 合成了花状的ITO纳米晶，并且发现多个LSPR共振之间存在耦合作用导致LSPR 吸收峰发生了红移和宽化。 (2)通过对ITO纳米晶的元素XPS谱分析，掺杂浓度为10％的ITO纳米 晶有最高氧空位比例，比例为27．3％；当掺杂浓度高于15％时，部分的Sn4+离子 已经被还原成Sn2十离子丧失电活性，指出了掺杂浓度为10％的ITO纳米晶样品 有最高的自由电子浓度，对sn的有效掺杂和提高ITO载流子浓度有指导意义。 (3)将掺杂浓度为10％的ITO墨水旋涂成薄膜，通过甲酸处理和氢氩混合 气氛下热处理，旋涂次数为20次，ITO薄膜的厚度为2．2 la m，在可见光波段的 透过率高达90％，薄膜的方块电阻为790 Q／sq。ITO薄膜作为SERS衬底材料， R6G和DAPI染料的拉曼信号强度、检测下限都得到了提高，证明ITO纳米晶 制备的薄膜是具有SERS活性的衬底材料。 (4)通过一锅法合成了方辉铜矿相Cu7．284纳米片和靛铜矿相CuS纳米片， 通过吸收光谱的表征，Cu7．284纳米片的LSPR峰位在1