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磁控溅射结合脉冲激光制备钛掺杂硅薄膜的研究-光子学报
第 卷第 期 光 子 学 报
47 9 Vol.47No.9
年 月
2018 9 Setember2018
ACTAPHOTONICASINICA p
: /
doi10.3788 zx0916005
g
磁控溅射结合脉冲激光制备钛掺杂硅薄膜的研究
, , , ,
王凯 李晓红 张延彬 温才 刘德雄
( , )
西南科技大学 理学院 极端条件物质特性联合实验室 四川 绵阳 621000
: ,
摘 要 发展了一种改进的新型超掺杂工艺 通过真空磁控溅射多层镀膜后结合 波长可见纳秒
532nm
, ,
脉冲激光熔融处理 进行超掺杂钛的硅薄膜材料的制备 并对材料的超掺杂层的性质和红外吸收性能进
, ,
行了探究 结果表明 硅膜层中掺杂的钛原子的百分比浓度超过 左右 对应钛原子浓度约为
. 1% 5×
20 -3
, ,
左右 超过钛在硅中形成超掺杂所对应的原子浓度 钛超掺杂层的厚度超过 左右 相对
10 cm . 200nm
, ,
传统工艺具有明显提升 并且钛原子的浓度变化范围不超过 分布比较均匀 小角度 射线衍射测
20% . X
,
试表明经过可见脉冲激光熔融处理后的硅薄膜层材料结晶度为 左右 呈多晶结构 同时红外吸收谱
25% .
, ,
测试表明 样品的钛掺杂硅膜层在大于1100nm波长的区域具有很高的红外吸收效果 最高的红外吸
4 -1
, ,
收系数达到
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