多晶硅及碲化镉薄膜光伏材料关键制备技术的研究电子科学与技术;微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

南开大学学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师指导下进行研究工作所 南开大学学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师指导下进行研究工作所 取得的研究成果。除文中已经注明引用的内容外，本学位论文的研究成果不包 含任何他人创作的、已公开发表或者没有公开发表的作品的内容。对本论文所 涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本 学位论文原创性声明的法律责任由本人承担。 学位论文作者签名： 矍班 2010 年6 月23 日 非公开学位论文标注说明 根据南开大学有关规定，非公开学位论文须经指导教师同意、作者本人申 请和相关部门批准方能标注。未经批准的均为公开学位论文，公开学位论文本 说明为空白。 论文题目 申请密级 口限制(≤2年) 口秘密(≤10年) 口机密(≤20年) 保密期限 20 年 月 日至20 年 月 日 审批表编号 批准日期 20 年 月 同 限制★2年(最长2年，可少于2年) 秘密★10年(最长5年，可少于5年) 机密★20年(最长10年，可少于10年) 摘要摘要 摘要 摘要 池和碲化镉薄膜太阳电池很有可能成为未来市场的主导产品。 但是，多晶硅薄膜太阳电池和碲化镉薄膜太阳电池某些关键工艺还存在一些 问题，使得这两种薄膜太阳电池距离满足廉价光伏材料的目标还有一定差距。 本论文就针对多晶硅薄膜太阳电池后氢化处理工艺、铝诱导晶化工艺和碲化镉 薄膜太阳电池中的背接触等关键工艺进行研究，试图从材料研究角度，使其满 足光伏产业高转换效率和低成本的要求。 文中具有创新性的研究包括以下内容： (1)针对SPC法制备的CSG多晶硅薄膜太阳电池，其晶界和晶粒内部常含 有的大量的缺陷态，严重影响其制备的器件性能和稳定性，需要进行后氢等离 子钝化处理。当前使用该方法的多，但是对其微观机制深入揭示的较少。我们 利用OES谱的直接观察将H等离子基元行为与被钝化物质关联起来，并对钝化 后材料进行红外光谱、霍尔迁移率、拉曼光谱、吸收谱等手段的测试与详细分 析，对其发挥关键作用的后氢化处理的等离子基元的表现及其与工艺(气压， 温度，功率等)相结合，考察其微观效果，以期对氢化处理的物理机制进行探 讨。发现氢化处理的开始阶段，氢等离子体的钝化作用占主导地位，H有能力进 入薄膜内与硅键合，薄膜内的氢多以Si．H键形式存在的时候，其霍尔迁移率得 到提高；而过长的氢化时间会使刻蚀和轰击作用更加明显，薄膜内Si．H2的数目 ：·、 明显增多，使薄膜的电学性能下降。氢化与多晶硅材料本身及其缺陷态类型有 关。多晶硅材料氢化前所含的缺陷态数目越多，能够钝化的缺陷态就越多，霍 尔迁移率提高的幅度就越大，氢化效果越明显。PE．SPC晶化的样品其缺陷态类 型主要为晶界等处存在的大量悬挂键所造成的缺陷态，只需较低能量的心实现 钝化；而LP．SPC晶化样品以晶格缺陷为主，需要较高能量的HB和H才能有效 钝化其缺陷态；LP．MIC晶化样品主要含Ni杂质有关的缺陷态，能量适中的H’ 摘要对其钝化效果更为明显。 摘要 对其钝化效果更为明显。 利用这样的机理我们优化衬底温度、辉光功率和腔体压强等工艺参数， 550℃10W 500 m Torr条件下PE．SPC poly．Si霍尔迁移率提高了84．9％；550℃ 10W 300 m Torr条件下LP．MIC poly．Si霍尔迁移率提高了50．1％；550℃10W 1200m Torr条件下LP．SPC poly．Si霍尔迁移率提高T56．7％。 (2)针对于使用舢诱导晶化的多晶硅电池，其实际效率低于理论值的主要原 因是晶化多晶硅的内部含有残留的金属Al，成为复合中心，从而影响其制备的 器件性能和稳定性。为此我们开发了溶液铝诱导晶化技术及氢等离子体铝诱导 晶化技术，以期降低晶化工艺存在残留金属Al的浓度：前者利用控制铝溶液的 浓度来控制非晶硅表面覆盖的铝含量，达到既能有效晶化又能减少晶化硅中金 属残留的目的；后者将铝诱导晶化的退火过程在氢等离子体的气氛中进行来达 到降低晶化工艺存在残留金属Al浓度的目的。另外这两种技术都试图以开辟更 为廉价的电池制造工艺。前者省去真空过程，简化工艺。后者将铝诱导晶化的 退火过程在氢等离子体的气氛中进行，这样可以将传统的退火与后氢化处理工 艺合二为一。这样可以简化工艺，降低成本。通过实验发现它还能降低退火时 间，克服铝诱导晶化低温时退火时间较长的缺点。利用这两种晶化方法制备多 晶硅薄膜都尚属首次。 (3)针对CdTe薄膜太阳电池，其背接触问题成为目前实际制备的CdTe太阳 电池效率与理论预期值相比有较大差距的主要原因之一。另外，CdCl2后处理在 CdTe太阳电池的制备中起着重要作用。对此我们利用碳糊成膜法，将