直流磁控溅射制备AlN薄膜的结构和表面粗糙度-光子学报.PDF

第 卷第 期 光 子 学 报 ４０ １ 　 　 　 Ｖｏｌ．４０Ｎｏ．１ 年 月 　　　　　　　　　　　　 ２０１１ １ Ｊａｎｕａｒ２０１１ ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ ｙ 文章编号： （ ） １００４４２１３２０１１０１０００９４ 直流磁控溅射制备 ＡｌＮ薄膜的结构和表面粗糙度 邹文祥，赖珍荃，刘文兴 （南昌大学 物理系，南昌 ３３００３１） 摘 要：采用直流磁控反应溅射法，在 （ ）基底上成功制备了多晶六方相 薄膜 研究了溅 Ｓｉ１１１ ＡｌＮ ． 　 射过程中溅射气压对薄膜结构和表面粗糙度的影响 结果表明：当溅射气压低于 时，薄膜为 ． ０．６Ｐａ 非晶态，在傅里叶变换红外光谱中，没有明显的吸收峰；当溅射气压不低于 时，薄膜的 射 ０．６Ｐａ Ｘ 线衍射图中均出现了六方相的 （ ）、（ ）和弱的（ ）衍射峰，说明所制备的 薄膜为多 ＡｌＮ １００ １１０ ００２ ＡｌＮ 晶态，在傅里叶变换红外光谱中，在波数为 ６７７ｃｍ－１处有明显的吸收峰；随着溅射气压的增大，薄 膜表面粗糙度先减小后增大，而薄膜的沉积速率先增大后减少，且沉积速率较大有利于减小薄膜的 表面粗糙度；在溅射气压为０．６Ｐａ时，薄膜具有最小的表面粗糙度和最大的沉积速率． 关键词： 薄膜；溅射气压；结构；表面粗糙度 ＡｌＮ 中图分类号： 文献标识码： ： ／ ＴＢ３ Ａ 犱狅犻１０．３７８８ ｚｘ０００９ 　　　　 　　　　　　 ｇ ［］ 延 ７ ，脉 冲激光沉积 （ＰｕｌｓｅｄＬａｓｅｒＤｅｏｓｉｔｉｏｎ， ０ 引言 ｐ 　 ［ ］ １４ ） 等 近年来，反应磁控溅射方法由于低成本 ＰＬＤ ． 高质量的氮化铝薄膜正成为半导体材料产业中 且要求相对较低的生长温度而备受关注，已广泛用 的一种多功能材料 氮化铝（ ）是一种性能优良