第七章MOS反相器.ppt

第7章 MOS 反相器 MOS反相器的分类 静态反相器 动态反相器 E/E反相器 E/D反相器 CMOS反相器 有比反相器 无比反相器 下降时间tf的分析 上升时间tr的分析 习题 有一个E/D NMOS反相器，若VTE=2V， VTD=-2V，βR=25，VDD=5V。求此反相器的逻辑电平是多少？ 7.3 CMOS反相器 所谓CMOS (Complementary MOS)，是在集成电路设计中，同时采用两种MOS器件：NMOS和PMOS。CMOS电路及其技术已成为当今集成电路，尤其是大规模电路、超大规模集成电路的主流技术。CMOS结构的主要优点是电路的静态功耗非常小，电路结构简单、规则，使得它可以用于大规模集成电路、超大规模集成电路 下图为CMOS结构的剖面示意图，为了能在同一硅材料(Wafer)上制作两种不同类型的MOS器件，必须构造两种不同类型的衬底，图中所示结构是在N型硅衬底上，专门制作一块P型区域(p阱)作为NMOS的衬底的方法。同样地，也可在P型硅衬底上专门制作一块N型区域(n阱)，作为PMOS的衬底。为防止源/漏区与衬底出现正偏置，通常P型衬底应接电路中最低的电位，N型衬底应接电路中最高的电位。 7.3.1 CMOS反相器的直流特性 CMOS反相器是CMOS门电路中最基本的逻辑部件，大多数的逻辑门电路均可通过等效反相器进行基本设计，再通过适当的变换，完成最终的逻辑门电路中具体晶体管尺寸的计算。所以，基本反相器的设计是逻辑部件设计的基础。 CMOS反相器的电路构成，是由一个增强型n沟MOS管作为输入管和由一个增强型p沟MOS管作为负载管，且两栅极短接作为输入端，两漏极短接作为输出端，N管源极接地，P管源极接电源电压VDD，这就构成了两管功能上的互补。 CMOS反相器的等效电路图 二、CMOS反相器电压传输特性VTC Review: Short Channel I-V Plot (NMOS) Review: Short Channel I-V Plot (PMOS) 变换 PMOS I-V 曲线 CMOS Inverter Load Lines CMOS反相器电压传输特性VTC CMOS反相器电压传输特性VTC 四、 CMOS反相器VTC分析 六、CMOS反相器的优点 传输特性理想，过渡区比较陡 逻辑摆幅大：VOH=Vdd, VOL=0 一般转折点电压VI*位于电源Vdd的中点，即Vth=Vdd/2，因此噪声容限很大。 只有在状态转换过程中两管才同时导通，才有电流通过，因此功耗很小。 CMOS反相器是利用p、n管交替通、断来获取输出高、低电压的，而不象单管那样为保证Vol足够低而确定p、n管的尺寸，因此CMOS反相器是无比（Ratio-Less）电路。 7.3.2 直流噪声容限 CMOS反相器噪声容限： 高电平噪声容限： 高电平噪声容限表征被驱动级输入高电平时的抗干扰能力； 低电平噪声容限：低电平噪声容限表征被驱 动级输入低电平时的抗干扰能力。 7.3.3 开关特性 CMOS反相器的开关特性： CMOS反相器开关特性接近于TTL电路，但保持了MOS集成电路的无存储的特点。 　CMOS反相器的开关特性包括上升沿瞬变时间(上升时间)tr、下降沿瞬变时间(下降时间) tf 和延迟时间(包括tdHL和tdLH)。 1、CMOS反相器延时的定义 3.1、下降时间tf 3.2、上升时间tr n-Si和p-Si体内迁移率分别是： n-Si和p-Si表面有效迁移率还不到体内迁移率的一 半，并且与晶向有关。 大于 具体数值与硅表面状况有关。MOS工艺常选用(100)晶 向的单晶做衬底，工程上近似认为 静态功耗的三种成因 ②动态（Dynamic）功耗 动态功耗PD由三部分组成： A、电路逻辑操作所引起的状态改变所需功耗； B、P管与N管阈值电压重叠所产生的导通电流所需功耗； C、不同路径的时间延迟不同所产生的竞争冒险所需功耗。 其中以动态功耗为主，因此要降低功耗，关键要使VDD?。可采用低压/低功耗（ LV/LP ）技术，通过改进电路拓扑 ，设计新型器件结构，选用先进工艺等技术以达到降低功耗的目的。 7.5 动态反相器 7.5.1 动态有比反相器 静态逻辑电路靠稳定的输入信号使MOS管保持在导通或截止状态，从而维持稳定的输出状态； 动态MOS电路的工作基础是MOS管的负载电容存在电荷的存储和释放效应。