硅V型槽的制作工艺-瑞合航天.pptVIP

五、湿法腐蚀工艺 EPW腐蚀系统：乙二胺（NH2（CH2）2NH2） E 邻苯二酚（C6H2（OH）2） P 水 W 反应： 电离： NH2（CH2）2NH2+H2O—NH2（CH2）2NH3++（OH)- 氧化还原：Si+2 (OH)- +4H2O—Si(OH)6=+2H2 络合过程： Si(OH)6=+ C6H2（OH）2—Si(C6H4O2)3=+6H2O 乙二胺，水：氧化； 邻苯二酚：络合 反应装置： 反应温度：摄氏115度，低温时会在硅表面产生不可溶解的残留物，使表面粗糙 带回流：防蒸发 带搅拌：更均匀 有毒：需要防护 五、湿法腐蚀工艺 几种典型腐蚀液： T腐蚀剂： E:17ml；P:3g；W:8ml（mol比：E:P:W=35.1%:3.7%:61.2%) 摄氏110度，腐蚀速率比100:110:111=50:30:3(微米/小时） B腐蚀剂： E:7.5ml；P:1.2g；W:2.4ml（mol比：E:P:W=43.8%:4.2%:52%) 摄氏118度，腐蚀速率比100:111=50:1(微米/小时） 摄氏100度以上表面平整、光滑、无残留物 F腐蚀剂、S腐蚀剂；加入不同的二氮杂苯 五、湿法腐蚀工艺 择优机理： 与晶体结构有关 与不同晶向的悬挂键有关 与背键有关 通常{111}面腐蚀速率最慢， 与{100}比可达100：1 五、湿法腐蚀工艺 影响腐蚀速率的条件： KOH体系 腐蚀速率与KOH浓度关系(a)有IPA，(b)无IPA 加入IPA后，速率降低 温度的影响：随温度上升而增加 五、湿法腐蚀工艺 (a) R(100)/R(111) (b) R(110)/R(111) IPA对腐蚀速率比的影响 五、湿法腐蚀工艺 KOH腐蚀速率与硼掺杂浓度的关系 五、湿法腐蚀工艺 影响腐蚀速率的条件： EPW体系 腐蚀速率与水、乙二胺（上）和邻苯二酚（下）浓度的关系 五、湿法腐蚀工艺 EPW腐蚀速率与硼掺杂浓度的关系 五、湿法腐蚀工艺 微结构特点： （100）衬底 不同掩膜的腐蚀结果 五、湿法腐蚀工艺 （100）衬底上，腐蚀〈110〉窗口的几何尺寸 W0=Wsi – 2 tsi 五、湿法腐蚀工艺 凸角腐蚀问题 五、湿法腐蚀工艺 凸角腐蚀的补偿 五、湿法腐蚀工艺 微结构特点： （110）衬底 腐蚀结果 五、湿法腐蚀工艺 机械划片 激光划片 六、划片 硅V型槽照片 三维轮廓仪测量结果 从照片看，硅槽侧壁呈现完美的镜面，线条没有缺陷 从测量结果看，槽的周期精度小于0.3微米，精度很高 产品图片 硅V型槽的制作工艺 北京瑞合航天电子设备有限公司 概述 随着光通讯的迅猛发展，光纤到户已经实现。光通讯网络中人们大量使用平面光波导器件PLC，并通过光纤阵列与平面光波导器件精确对准，这对光纤阵列中最重要的基本元件——精密V型槽的制作提出了很高要求。 按照材料分类，精密V型槽有陶瓷V型槽、玻璃V型槽和硅V型槽三种。 按照加工方法分类，有精密机械加工方法和微机械加工方法。陶瓷V型槽、玻璃V型槽采用精密机械加工方法，硅V型槽采用微机械加工方法。 概述 精密机械加工方法是在精密机床上用金刚石刀具对工件进行精研、抛光。由于存在刀具磨损，需要在加工过程中对刀具进行在线检测、在线修复。精密V型槽的周期精度达到亚微米量级，因此导致机床和刀具的精度要求达到亚微米乃至纳米量级。 优点：陶瓷、玻璃、单晶硅都可加工。陶瓷V型槽强度高、耐磨，主要用在光纤熔接机上。玻璃V型槽透明，放光纤时便于在线观察，主要用在光纤阵列中。 缺点：设备费很贵，维护费也很高。此外，由于是单件加工，大批量时需要多台设备同时工作。 概述 微机械加工方法有体硅加工方法、表面硅加工方法、LIGA加工方法等，是微机电系统（MEMS）中最重要、最基本的工艺。硅V型槽用的是体硅加工方法，这是MEMS工艺中最成熟的方法，也是目前实用化MEMS元器件中使用最广泛的方法。该方法利用单晶硅的各向异性腐蚀特性，通过晶面自然解理形成V型槽，因此只适用于单晶硅。 硅V型槽侧壁光滑、线条笔直、一致性好、精度高，无精密机械加工的累计误差。由于采用与微电子类似的并行生产工艺，保证了高品质、大批量、低成本。 概述 硅V型槽的三维几何尺寸精度高，非常适合于放置光纤并精密定位，能和激光器、探测器以及其它光电子器件的间隔严格匹配，大大减少了光电子器件和光纤耦合对准的损耗。硅V型槽广泛应用在光通讯领域，例如光纤阵列等器件中，虽然其不透明，但若用透明玻璃做盖板，也可用于在线观察。 硅V型槽传热性能好，光纤可以承受很大激光功率，因此在大功率