表面粗化提高algainpleds外量子效率光学工程专业论文.docxVIP

人完全意识到本声明的法律结果由本人承担作者签名：量!!盎—!坐年i月』R 人完全意识到本声明的法律结果由本人承担 作者签名：量!!盎—!坐年i月』R 长春理工大学学位论文版权使用授权书 本学位沦文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权 使用规定”．同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学 位论文全文数据库和CNKI系列数据库及其它国家有关部门或机构送交学位论文 的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位 论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，也可采用影印、缩印或扫描等复 制手段保存和汇编学位论文。 作者签名：通!兰壹 业年』月．堕H 导师签名 簖 ]』!牟—L月上∞ 摘 摘 要 制对目前AlGal nP LEBs外量子效率一直不高的现状．本文利用表面粗糙化方法对 传统正装和新型倒装A]GainP LEDs进行表面粗化。 本文设计并制作了传统正装和新型倒装A1GaInP红光LEDs，具体分析了其各自枢 化层舯特点。针对正装AlGalnP LEgs设计了采用比P0棚t魄混台液和刖n／HF混合液分 别对传统正装AIgaInP LEDs进行湿法粗化，用ICP进行干法粗化，用干湿法相结合粗 化三种方案。针对倒装MGalnP LEDs研究了粗化层(A1，(；a．)。。In¨P中A】组分大小 对粗化工艺的影响．设计采用HCl／H，PO。混合液对倒装AlGa[nP LEDs进行湿法粗化。 对制作出的器件进行光电测试茇现，传统正装A1GalnP LEDs采用HNO，／ItF混合液 租化，}量子效率提高8．3％，采用于洼JcP蚀喜0外量子效率提高】j，7％，选用于湿法结 合外量子效率提高20 8％。倒装AlgaInP LEDs在A1维丹为0 4时．塌利于形成粗糙面． 采用HCl／H，PO．混台液进行粗化可最大使外量子效率提高79 3％。 关键词：^16al np 湿法蚀刻 干法蚀刻 表面粗化 外量子效率 ABSTRACTIn ABSTRACT In view ofthe current AIGalnP LEDs the external quantum efficiency has been low 划】出e times．this paper using the method of surface roughening lO rough the traditional and new毗afer-bondingAIGalnPLEDs This paper made a traditional and new wafer—bonding AIGNInP red LEDs．detailly analyzed the characteristics of each roughening layer For traditional AIG酊nP LEDs the paper designedthewet chemical rou曲ening by using ofH3P04，FIN03mixture andH20：／ HFmixture respectively．and¨ithICPfordr5’rou曲ening．combined¨目and奶，methodsto rough the three schemes For wafer-bonding AIGalnP the paper researched the amount ofAI in roughinglayer(AIxGal．x)0 5lno sP’sinfluence on roughing process．the paper designedwet chemical roughening by using ofHCI／H3P04 mixture for wafer-bonding AIGNInP LEDs Aner testing the produced device the results showed that．for traditional AIGninP LEDs．the external quantum efficiency increased by 8 3％after wet roughening when using HNOJHF mixture．when using ICP etching the external quantum efficiency increased b， 11 7％，the combine ofwet and d．ry methods could increase external quantum efficiency叶 20 8％It’s most suitable fo