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3、单结晶体管组成的振荡电路 利用单结晶体管的负阻特性和RC电路的充放电特性，可以组成单结晶体管自激振荡电路如图（a）所示。 电源接通后，E通过电阻Re对电容C充电，充电时间常数为ReC； 当电容电压达到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管进入负阻区，并很快饱和导通，电容C通过eb1结向电阻R1放电，在R1上产生脉冲电压uR1。 此后C又开始下一次充电，重复上述过程。由于放电时间常数(R1+ rb1)C远远小于充电时间常数)所示。 纸上得来终觉浅，绝知此事要躬行 电工电子技术实践-电力电子技术 第9单元 电力电子技术 9.1 专题1 晶闸管与单向可控整流电路 9.2 专题2 晶闸管触发电路 电力电子技术是一门新兴的应用于电力领域的电子技术，即使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。现已成为现代电气工程与自动化专业不可缺少的一门专业基础课，在培养该专业人才中占有重要地位。 电力电子学横跨“电力”“电子”“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。 9.1 专题1 晶闸管与单向可控整流电路 它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管等等。晶闸管只需几十到几百毫安的小电流，就能控制几百至几千安的大电流，使电子技术从弱电领域扩展到强电领域。晶闸管作为电力电子器件，具有体积小，重量轻，效率高等优点，因此应用极为广泛。 9.1.1 晶闸管 晶闸管全称晶体闸流管，旧称可控硅 简称SCR。 晶闸管的结构 它有三个电极，分别是阳极A，阴极K和门极G，其内部等效电路如图9-2所示，由四层半导体（P1,N1,P2,N2）组成，形成三个PN结J1(P1N1),J2(N1P2),J3(P2N2)。从P1层引出的电极为阳极A，N2层引出的电极为阴极K，P2层引出的电极为门极G。 门极G 阳极A 阴极K 晶闸管符号 晶闸管的外形 晶闸管的工作原理 我们可以通过下图所示的电路图来说明晶闸管的工作原理。在该图中电源、晶闸管和负载白炽灯组成的回路为晶闸管主回路，由电源、开关、负载和晶闸管门极及阴极组成的回路为晶闸管控制回路。 如图（a）晶闸管阳极经白炽灯接电源的正极，门极经电阻接电源的正极开关断开，灯不亮，说明没有触发信号，晶闸管不导通。 如图（b）晶闸管阳极经白炽灯接电源的正极，门极经电阻接电源的正极，开关关闭，这时灯亮，说明晶闸管导通，这一过程说明触发导通。晶闸管导通后去掉控制极上的电压， 如图9-3（c）所示，即开关断开，灯仍然亮，表明晶闸管继续导通。说明晶闸管一旦导通，控制极就失去了控制作用。 如图（d）晶闸管的阳极和阴极均接正向电压，开关闭合，但是控制极相对于阴极接的是反向电压，这时灯不亮，说明晶闸管也不导通。 图（e）晶闸管的控制极和阴极均接正向电压，阳极接反向电压，此时灯不亮，说明晶闸管也不导通，此时处于反向阻断状态。 综上所述，可得出晶闸管有以下几个特点： （1）晶闸管导通是条件是阳极和门极均加正向电压。 （2）晶闸管导通后，门极就失去了控制作用。 （3）晶闸管的阻断条件是去掉阳极电压或阳极加反向电 压，或减小阳极电压使晶闸管中的电流IA小于维持电流IH。 。 晶闸管的伏安特性曲线 晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如下图所示。正向特性位于第一象限,反向特性位于第三象限。 当IG=0时，即控制极不加电压时，晶闸管处于正向阻断状态（简称段态）。随着正向阳极电压的增大，当 UA达到UB0时，晶闸管突然从阻断状态转为导通状态（简称通态），此时的电压UB0称为正向转折电压。 导通后的晶闸管，其特性与二极管的正向伏安特性相似。当门极电流 足够大时，只需很小的正向阳极电压就可使晶闸管从断态变为通态。晶闸管的这种导通称为触发导通已经导通的晶闸管，如果将阳极电流减小到IH，将从导通状态变为正向阻断状态。所以晶闸管只能稳定工作在阻断与导通两个状态。 ③ 额定电压 ② 反向重复峰值电压URRM ① 断态重复峰值电压UDRM 晶闸管的主要参数 9.1.2 单相可控整流电路 用晶闸管组成的整流电路可以把交流电变成大小可调的直流电，称为可控整流。 单向全波可控整流电路 单相可控整流电路可分为 单向半波可控整流电路 1.电阻性负载的单向半波可控整流电路 用晶闸管T替代单相半波整流电路中的二极管D，就可以得到单相半波可控整流电路的主电路，如下图(a)所示。 工作原理 设图中 负载 RL为电阻性负载 （1）晶闸管的控制极上未加正向触发电压，那么根据晶闸管的导通条件，不论正弦交流电压u2 是正半周还是负半周，晶闸管