第14章电工学数字电路部分.pptVIP

第14章 二极管和晶体管 14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 特殊二极管 14.5 晶体管 14.1 半导体的导电特性 14.1 半导体的导电特性 14.1 半导体的导电特性 3 晶体结构（共价键结构） 14.1 半导体的导电特性 4 本征激发 14.1 半导体的导电特性 14.1 半导体的导电特性 14.1 半导体的导电特性 14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.2 PN结及其单向导电性 二极管电路分析举例 1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组, W. Schokley肖克莱，J. Bardeen巴丁、W. H. Brattain布拉顿。Bardeen提出了表面态理论， Schokley给出了实现放大器的基本设想，Brattain设计了实验。1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 ?1956年诺贝尔物理学奖授予美国加利福尼亚州景山（Mountain View）贝克曼仪器公司半导体实验室的肖克莱（William Shockley，1910—1989）、美国伊利诺斯州乌尔班那伊利诺斯大学的巴丁（John Bardeen，1908—1991）和美国纽约州缪勒海尔（Murray Hill）贝尔电话实验室的布拉顿（Walter Brattain，1902—1987），以表彰他们在1947年12月23日 发明第一个对半导体的研究和PNP点接触式Ge晶体管效应的发现。 世界上第一个Ge点接触型PNP晶体管 四 主要参数 第14章 二极管和晶体管 14.4 特殊二极管 例2：现有两个稳压二极管，稳压值为3v，5V，正向导通压降为0.7V。配合适的电源、电阻，可得到几种输出电压。 2 双管： 稳压管反接：3V 5V 稳压管正接：0.7V 解：1 单管： 两只稳压管串联 稳压管正接：0.7+0.7=1.4V 稳压管反接：3+5=8V 稳压管一正一反：3+0.7=3.7V 5+0.7=5.7V 两只稳压管并联 稳压管反接：5-3 =2V 稳压管一正一反：3-0.7=2.3V 5-0.7=4.3V 二 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 应用：半导体光源。 符号 符号 反向电流随光照强度的增加而上升。 应用：光电检测。 三 光电二极管 14.4 特殊二极管 下一页 返回 上一页 14.5 晶体管 半导体三极管又称晶体三极管，简称晶体管或三极管。是具有两个PN结的电子器件。在三极管内，有两种载流子（电子与空穴）参与导电，故又称为双极型三极管，简记为BJT（英文Bipo1ar Junction Transistor的缩写）。属于电流控制型器件。 三极管的基本功能是具有电流放大作用,是各种电子线路的核心部件 14.5 晶体管 下一页 返回 上一页 晶体管的发明 肖克莱( William Shockley) 巴丁(JohnBardeen) 布拉顿(Walter Brattain) 晶体管的发明 晶体管的发明 二战结束时，诸多半导体方面的研究成果为晶体管的发明作好了理论及实践上的准备。1946年1月，依据战略发展思想，Bell实验室成立了固体物理研究组及冶金组，开展固体物理方面的研究工作。在系统的研究过程中，肖克莱根据肖特基的整流理论，预言通过“场效应”原理，可以实现放大器，然而实验结果与理论预言相差很多。经过周密的分析，巴丁提出表面态理论，开辟了新的研究思路，兼之对电子运动规律的不断探索，经过多次实验，于1947年12月实验观测到点接触型晶体管放大现象。第二年1月肖克莱提出结型晶体管理论，并于1952年制备出结型锗晶体管，从此拉开了人类社会步入电子时代的序幕。 晶体管的发明 蒸金箔 塑料楔 金属 基极 锗 发射极 集电极 0.005cm 的间距 晶体管的发明 一 晶体管的基本结构 三极管的基本类型有两种：NPN型 和 PNP型。最常见的有平面型和合金型。 14.5 晶体管 下一页 返回 上一页 B E C NPN型 N N P 基极 发射极 集电极 B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 由两个N 型区和一个P型区构成三个区域： N P N+ ⅰ 掺杂浓度较高的一个N 型区称为发射区（E区） 发射区 ⅲ 很薄且掺杂浓度很低的P